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文档简介
1、3.2 氧化过程中杂质再分布氧化过程中杂质再分布3.2.1 影响的因素影响的因素 （1）杂质在）杂质在 界面附近的界面附近的分凝系数分凝系数 （2）杂质在氧化硅中的扩散系数：）杂质在氧化硅中的扩散系数：快扩散快扩散与与慢扩散慢扩散 （3）氧化过程中）氧化过程中 界面的界面的推进速率推进速率k 硅中杂质的平衡浓度氧化硅中杂质的平衡浓度2/si sio2/si siok黄君凯 教授3.2.2 再分布过程再分布过程 :在硅衬底深处的杂质平衡浓度在硅衬底深处的杂质平衡浓度 ; :在在 附近的杂质平衡浓度附近的杂质平衡浓度 结论结论 硅中的杂质再分布影响着工艺和性能硅中的杂质再分布影响着工艺和性能 （界
2、面陷阱特性、阈值电压、接触电阻等）（界面陷阱特性、阈值电压、接触电阻等）c图图3-10 热氧化引起的杂质再分布过程热氧化引起的杂质再分布过程bc2/si sio氧化物吸收杂质氧化物吸收杂质氧化物吸收杂质氧化物吸收杂质氧化物析出杂质氧化物析出杂质氧化物析出杂质氧化物析出杂质黄君凯 教授3.3 二氧化硅掩模特性二氧化硅掩模特性3.3.1 氧化硅膜特性氧化硅膜特性n 栅氧化膜：栅氧化膜：mosmos器件（器件（520 nm520 nm）n 选择性掩模：阻挡高温下杂质离子的扩散（选择性掩模：阻挡高温下杂质离子的扩散（0.51.0 mm0.51.0 mm）3.3.2 掩模特性（温度和时间）掩模特性（温度
3、和时间）表表3-1 中的扩散常数中的扩散常数2sio快扩散快扩散黄君凯 教授图图3-12 最小氧化硅掩模厚度最小氧化硅掩模厚度图图3-11 杂质在杂质在 中的扩散系数中的扩散系数2sio黄君凯 教授3.4 氧化层质量氧化层质量 : 晶向为晶向为 , 晶向为晶向为 : 晶向为晶向为 , 晶向为晶向为 : 氧化中加氯能固定钠离子而减少污染氧化中加氯能固定钠离子而减少污染mq图图3-13 热氧化硅中电荷热氧化硅中电荷fqitq1025 10 cm10210 cm11210 cm10210 cm黄君凯 教授3.5 氧化层厚度表征氧化层厚度表征3.5.1 比色法比色法 根据颜色表比照晶片颜色确定厚度。根据颜色表比照晶片颜色确定厚度。3.5.2 轮廓法轮廓法 通过轮廓仪拖动精细探针滑过薄膜层，由信号变化记通过轮廓仪拖动精细探针滑过薄膜层，由信号变化记 录膜厚度。录膜厚度。3.5
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