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文档简介

1、2多晶硅薄膜电学性质多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106108 cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为几个原子层。3低压化学气相淀积低压化学气相淀积 LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密,晶粒细; (2) 因为在低压下生长,CVD生长的膜较常压CVD方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,

2、不需任何携带气体;且使用扩散炉,设备简单,操作安全方便。而常压CVD需要大量的携带气体,气体经过提纯才能使用;且使用高频炉加热,既麻烦又不安全;4 (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。5基本原理基本原理 多晶硅薄膜的淀积，通常主要采用多晶硅薄膜的淀积，通常主要采用LPCVD工艺，在工艺，在580650下热分解硅下热分解硅烷实现的。大多数多晶硅淀积是在低压、烷实现的。大多数多晶硅淀积是在低压、热壁式反应室中完成的。在淀积的过程中，热壁式反应室中完成的。在淀积的过程中，硅烷首先被吸附在衬底的表面上，并按下硅烷首先被吸附在衬底的表面上，并按下面反应顺序完成淀积：面反应顺序完成淀积： SiH4(吸附吸附) = SiH2(吸附吸附)+H2(气体气体) SiH2(吸附吸附) = Si(固固)+H2(气体气体)6 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的热分解，中间产物是热分解，中间产物是SiH2和和H2。随后分解形。随后分解形成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下：成固态硅薄膜和

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