常用电子元件的认识

1、常用电子元件的认识第一节 电阻的认识(一). 电阻的特性电子在物体内做定向运动会遇到阻力，这种阻力称为电阻。物体电阻的大小与长度L成正比，与其横截面积S成反比，用公式表示为：R=pl/s式中的比例系数p叫做物体的电阻系数或电阻率,在数值上等于单位长度.单位面积的物体在20时所具有的电阻值。(二). 电阻的作用电阻在电气装置中的作用大致可分为：降低电压、分配电压、限制电路电流，向各种电子器件提供必要的工作条件（电压或电流）等多种功能。(三). 符号1. 电阻在电路图中用英文字母“R”表示2. 线路符号或固定电阻 半固定电阻 电位器(四). 电阻的阻值单位1. 基本单位：欧姆，用字母“”表示2.

2、辅助单位：千欧和兆欧，分别用字母K和M表示3. 相互间的换算关系1M=103K=106注意：（1） 阻值上了1000的要换算成多少个K来表示(2). 阻值上了1000000的要换算成多少个M来表示(五). 电阻的型号和命名方法序号(用数字表示)分类(用数字、字母表示)材料(用字母表示)主称（用字母R或W表示）表示的意义规则见下表：第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或字母表示分类符号意义符号意义符号意义R电阻器T碳膜1普通W电位器P硼碳膜2普通U硅碳膜3超高频H合成膜4高阻I玻璃釉膜5高温J金属膜（箔）7精密Y氧化膜8电阻、高压S有机实芯9特殊N无机实芯D多圈X线

3、绕G高功率C沉积膜T可调G光敏X小型L测量用W微调(六). 电阻的表示方法1. SMT料字标电阻(1). SMT的意义：微型电子元件贴装技术(2). SMT字标电阻的常用型号1608（1/12W）、2125（1/10W）、3216（1/8W）（按体积大小与功率有关）(3). 标称阻值：电阻表面所标的阻值A. 三位数表示法ABCR=AB10C AB为有效数 C为倍乘数105例： 由公式AB10C=10105=1000000=1MB. 四位数表示法ABCDR=ABC10D（通常表示精密电阻） ABC为有效数 D为倍乘数1000例： 代入公式ABC10D=100100=100C. 直标法4R7ARB

4、例： 读作A.B 读作4.71K5ABK 读作A.BK 读作1.5K 2M3AMB 读作A.BM 读作2.3MAB56 读作0.AB 读作0.56R000R0000另: 读作0,起导线接通的作用.2. MT料色环电阻(1) 色环表示的意义颜色黑棕红橙黄绿兰紫灰白金银无有效数0123456789倍乘数10010110210310410510610710810910-110-2误差1%2%0.15%0.25%0.1%+5%-20%5%10%20%(2)表示方法A. 色环表示法a. 四色环表示法 A B环为有效数，C为倍乘数，D为误差 AB10C+DA B C Db. 五色环表示法 A BC环为有效

5、数，D为倍乘数，E为误差 ABC10D+EA B C D EB. 直标法直标法是利用阿拉伯数字和单位符号在电阻器表面直接标出标称阻值,允许误差直接用百分数表示,图(a)RJ-0.55K1 JRJ1W5.1K5%(a) (b)C. 文字符号法文字符号法是用阿拉伯数字和文字符号两者有规律地组合起来表示标称阻值和误差，图(b)(七). 阻值误差实测值和标称值之间的差异称为误差。实测值标称值 100%标称值1. 误差百分率=A. 实测值:用仪表实际测出的值B. 标称值:电阻表面标注的阻值2. 电阻一般常用的三个误差等级I级5%(J或金) II级10%(K或银) III级20%(M或无色)(八). 电阻

6、的额定功率当电流通过电阻器的时候,电阻器便会发热.负荷的功率越大,发热就越厉害,如果使电阻发热的功率过大,电阻就可能承受不了而烧坏.通常在正常大气压及额定的温度下,电阻长期连续工作并能满足规定的性能要求时,所允许耗散的最大功率称作电阻的额定功率.它的单位是(W),在电阻上的负荷功率可由下面公式算出P=U2/R或P=I2R(九). 电位器(1). 电位器实质上是一个可变电阻器,但两者有如下区别:在外型上可变电阻一般只有两个接头,电位器却有三个,可变电阻在使用过程中只能改变电阻值,使电阻在最大与最小之间变化,而电位器除可调节电阻,还能调节活动臂与两端的电位高低.(2). 电位器的种类:按其电阻体的

7、材料可分为线绕电位器和碳膜电位器.(3). 电位器的阻值变化形式:是指电位器转轴的旋转角度和阻值变化间的规律A. 直线式(X型):阻值随转轴角度的改变呈均匀变化,因此叫直线型电位器,用于分压偏流调整等电路中.B. 指数式(I型):开始时阻值变化较小,以后阻值变化加快,呈指数变化,称作指数电位器,用作音量控制.C. 对数式(D型),开始时阻值变化较大,以后逐渐减少,称为对数式电位器,多用于音调控制.(十). 其它形式的电阻A. 保险丝保险元件的作用是在电路过载(电流过大或温度过高度)时自动熔断,保护相关的元器件.常用的有：熔断电阻器、普通熔丝、快速熔丝、延迟型熔丝和温度保险丝等。B. 热敏电阻热

8、敏电阻是利用对温度敏感的半导体材料制成的,共阻值随温度变化有比较明显的改变.负温度系数热敏电阻(NTC)RT(1). 负温度系数热敏电阻通常是由锰、钴、镍的氧化物烧制成半导体陶瓷制成的，其特点是在工作温度范围内电阻值随温度的升高而降低。元件符号为：T0(2). 正温度系数热敏电阻（PTC）PTC是以钛酸钡（BaTiQ3）为主要原料，再掺入锶、钛、锆等稀土元素后烧结而成的，它随温度的升高阻值随之升高。C. 压敏电阻压敏电阻是一种新型的过压保护元件压敏电阻是以氧化锌（ZnO）为主要材料而制成的金属氧化物半导体陶瓷元件，其阻值随端电压而变化。按其伏安特性可分为对称型（无极性）和作对称型（有极性）两种

9、，主要特点是工作电压范围宽，对过压脉冲响应快，耐冲击电流的能力强，漏电电流小，电阻温度系数小。它可构成过压保护电路、消噪电路、消火花电路、吸收回路等。用万用表检测压敏电阻1). 检查绝缘电阻将万用表拨至R1K档测量两脚之间的正反向绝缘电阻，均应为无穷大，否则说明漏电流大。2). 测量标称电压由于工艺的离散性、压敏电阻上所标电压会有一定偏差，故应以实测值为准，测试时利用兆欧表提供测试电压，再用万用表直流电压档和电流档分别测出电压和电流，然后对调引线测试，两组数据应基本相等。D. 光敏电阻光敏电阻是根据半导体的光电导效应制成的，使用时给它施加以直流或交流偏压。它是用硫化镉(Cds)或硒化镉(Cse

10、)材料制成的特殊电阻器，它对光线非常敏感，无光线照射时呈高阻态，暗阻值一般可达1.5M以上，有光照时材料中便激发出自由电子与空穴，使其电阻减小，随着亮度的增高，电阻值迅速降低，亮阻值可小至1K以下，它适用于光电自动控制：照度计、电子照相机、光报警装置中。第二节 电容的认识(一). 电容的特性电容是一种能够储存电荷的元件，两块金属板相对平行地放置而不相接触就构成一个最简单的电容器，如果把金属板两端分别接到电池的正、负极，那么接正极的金属板上的电子就会被电池的正极吸引过去，而接负极的金属板就会从负极得到电子，这种现象就叫做电容器“充电”。充电的时候，电路里就有电流流动，当金属板上产生的电压与电池的

11、电压相等时，充电就停止，电路中就不再有电流流动，相当于开路，这就是电容能隔断直流电的道理。如果将接在电容器上的电池拿开，而用导线把电容器的两个金属板接通，则在刚接通的一瞬间，电路中便有电流流通，这个电流的方向与原充电时的电流方向相反，随着电流的流动，两金属板之间的电压也逐渐降低，直到两金属板上正、负电荷完全消失，这种现象叫“放电”。如果电容的两金属板上接上交流电，因为交流电的大小和方向在不断地变化着，电容两端也必然交替地进行充放电，因此，电路中就不停地有电流流动，这就是电容能通过交流电的道理。(二). 电容的代号为“C”，线路符号有： 无极性电容 可调电容 -+ 有极性电容 微调电容 (三).

12、 电容的单位1. 基本单位：法拉“F”表示2. 辅助单位：毫法“mF”微法“uF”纳法“nF”皮法“pF”3. 相互单位之间的关系式：1F=103mF=106uF=109 nF =1012 pF0.01UF4. 容量的表示方法A. 标单位的直接表示法，例322B. 不标单位的直接表示法,例C. 三位数码表示法:如224K表示0.22uF10%注意当第三位用9表示时，此容量的有效数应10-1，单位为PF，且这种表示法的容量仅限于1.09.9PF.D. 色码表示法,第一二环为有效数,第三环为被乘数，单位PF。(四). 电容的主要参数A. 标称容量和误差容量指加上电压后能贮存电荷的能力大小，C=Q/

13、UB. 额定直流工作电压(耐压)表示电容接入电路后,能长期连续可靠地工作而不被击穿时所能承受的最大直流电压.C. 绝缘电阻指电容两极间的电阻,表明电容漏电的大小,电容漏电越小越好,绝缘电阻越大越好.D. 电容的损耗电容在外加交变电压的作用下,由于有漏电存在及其他原因,都会有能量损耗,这些能量的损耗称为电容的损耗.电容的损耗包括介质损耗和金属损耗,介质损耗包括极化损耗,漏电损耗.金属损耗是由极片与引线之间的接触电阻造成的,通常材料愈薄,工作频率越高,环境温度愈高,其损耗就愈大.(五). 用万用表检测电容的方法A. 用万用表估测电容容量用万用表的两根表笔分别接触电容的两根引线对其进行充放电,观察表

14、头指针摆动大小来估计容量,一般可以估测0.02uF以上的电容容量。万用表估测电容量时指针的偏转值参考表万用表位置容量UFR10KR1KR100R100.02 7000.033 4000.1 1500.22 200.33 4004.7 1110 4 9022 1 5047 20100 5470 301000 72200 23300 20B. 用万用表测量电容的漏电电阻对有极性的电解电容,不能用兆欧表检查其漏电程度,这时可用万用表来进行测量,测量时将万用表置于R1K档,用两表笔分别接触电容的两引线,这时应注意不要用手去并接在被测电容的两端,以免人体漏电电阻并联在上面,引起测量误差,当两表笔接触被测

15、电容的两引出线时，这时万用表头指针先是向顺时针方向摆动，这是因为接入瞬时充电电流最大，然后，指针逐渐向逆时针方向复原退回至R=的方向，这是因为充电电流逐渐减小，如果表头指针退不到处而在某一时刻停止了，则表头指针所指的阻值就是漏电电阻的电阻值。一般电容的漏电电阻值较大，电解电容约在几千 欧左右,如远远小于此值,则不能用.如果被测电容的容量在0.01UF以上,用万表置于R10K高阻量程,而表头指针并不摆动,则说明该电容的内部已断路,如果是电解电容,则说明该被测电容的电解液已干,不能使用.A. 用万用表测量电容的极性按照测量电容漏电的方法,测出其漏电电阻,然后交换万用表的表笔再进行一次测量,以漏电电

16、阻小的一次确定,黑表笔所接的一端是电解电容的正极,红表笔所接的一端为负极.每次测量过后注意将电容的两引脚短接一下进行放电.(六). 电解电容的代用A. 保证容量基本相同,除特殊情况(如调谐电路等)有20%的变动问题不大B. 保证耐压相同或高于原电容耐压C. 用于高频的电容,可以代替等值,等耐压的低频电容.(七). 电容的物料编号规则序号(用数字表示,区别外形)分类(用数字或字母表示)材料(用字母表示)主称（用字母C表示）例:CJ3-400-0.01-II表示为密封金属化纸介电容器,额定直流工作电压为400V,容量为0.01uF,允许误差为10%第三节 电感的认识电感线圈是应用电磁感应原理制成的

17、元件,通常分为两类:一类是应用自感作用的电感线圈,另一类是应用互感作用的变压器.(一). 电感线圈的种类及参数(1). 固定电感这种电感线圈有高频扼流圈,低频扼流圈等(2). 微调电感这种电感线圈,一般都有插入磁芯,通过改变磁芯在线圈中的位置调节电感量的大小(3). 色码电感它是一种磁芯线圈,是将线圈绕制在软磁铁氧体的基体(磁芯)上,再用环氧树脂或塑料封装,并在其外壳上标以色环.(4). 电感量及精度线圈电感量的大小,主要取决于线圈的直径,匝数及有无铁芯等.精度要求对振荡线圈比较高,为0.20.5%,对耦合线圈和高频扼流圈要求较低,允许1015%.(5). 线圈的品质因素= Q=2fL WLR

18、 RW工作角频L线圈的电感量R线圈的总损耗电阻为了提高线圈的品质因素,可以采用镀银铜线，以减小高频电阻，用多股的绝缘线代替具有同样总截面的单股线，以减少集肤效应，采用介质损耗小的高频瓷为骨架以减小介质损耗，采用磁芯虽增加了磁芯损耗，但可以大大减小线圈匝数，从而减小导线直流电阻。(6). 分布电容线圈匝与匝之间存在着分布电容，多层绕组层与层之间也存在着分布电容，分布电容的存在降低了线圈的稳定性，同时也降低了品质因素。(7). 稳定性在温度改变时，它的稳定性便随之改变，主要是因为导线受热膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。(8). 检查参数A. 漆包线的直径B. 漆包线的绝缘漆是否破皮,有否氧化变黑

19、C. 线圈的圈数D. 正负极性线圈有否使用错顺时针方向为负极性逆时针方向绕制为正极性(二). 变压器(1). 作用:有升高或降低交流电压的作用,同时还有电流变换或阻抗变换,可以传迅信号和隔直流的功能.(2). 原理变压器一般按电源的线圈称为初级,其余均称为次级,当初级加上交流电压后,在磁芯中产生交变磁场,由于铁芯的耦合作用,在次级线圈中产生感应电压.(3). 种类按用途分为电源变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、级间耦合变压器及其它专用变压器等，按磁芯分为有铁芯变压器、磁芯变压器和空芯变压器。N2N1U2U1(4). 变压器的主要参数A. 变压比 n = =当n1时，则N1N2，U1U

20、2，即为降压变压器，反之为升压降压器。B. 效率影响效率的两个因素:铜损和铁损(5). 命名方法电感线圈型号的命名区别代号（字母)型式字母表示(X为小型)特征字母表示(G为高频)主称字母表示（L为线圈）中周型号命名方法级数(用数字表示)尺寸(用数字表示)主称(用字母表示)变压器的命名方法序号(用数字表示)功效(用数字、字母表示)主称(用字母表示)中周的代号主称尺寸级数字母名称、特征、用途数字外形尺寸mm数字用于中频级数T中频变压器177121第一级L线圈或振荡线圈21010142第二级T磁性瓷芯式31212163第三级F调幅收音机用4202536S短波段例如：TTF-3-1为调幅收音机用磁性瓷

21、芯中频变压器，外形尺寸为121216(mm3),级数为第一级。(6). 电感的代号为L，单位是亨利“H”，相互间关系式：1H=103Mh=106Uh第四节 二极管的认识(一). 概述：晶体二极管也叫半导体二极管，它是用半导体单晶材料（主要是锗和硅）制成，它是由一个PN结组成的器件，具有单向导电的特性。(二). 种类(1). 整流二极管：整流二极管多用硅半导体材料制成，有金属封装和塑料封装两种，它是利用PN结的单向导电性能，把交流电压变为脉动的直流电压。(2). 检波二极管：检波的作用是把调制在高频电磁波上的低频信号检出来，也可用于小电流整流。(3). 稳压二极管它是利用二极管反向击穿时，其两端

22、电压即固定在某一个值，而基本上不随电流变化大小的特殊来进行工作的。(4). 开关二极管：由于二极管具有单向导电的特性，在正向偏压下，其导通时电阻很小，在反偏压下呈截止状态，其电阻很大，利用这一特性，在电路中对电流进行控制，可起开关作用(5). 变容二极管：是利用PN结的空间电荷层具有电容特性的原理制成的，多采用硅或砷化镓材料制成，用陶瓷和环氧树脂封培育，它在电视机、录象机、收录机中多用于调谐电路和自动频率微调电路中。(6). 高压硅堆：它是把多只硅整流器件的芯片串联起来，再用塑料封装成一个整体的高压整流器件，适用于高压整流电路。(7). 阻尼二极管：它的反向恢复时间小，能承受较高的方向击穿电压

23、和较大的峰值电流，多用于电视机的行扫描电路中。(8). 发光二极管(三). 二极管的重要技术参数1. 最大整流电流IDM：是指长期正常工作条件下，能通过的最大正向电流值。2. 反向电流IRM3. 最大反向工作电压VRM4. 最高工作频率(四). 极性判别法1. 直观法一般二极管在外观上有对负极作特殊标记，如有黑色或灰色一端表示负极，则另一端表示正极，对于发光二极管，可由其内部芯片和线脚来判断，芯片小的一端或线脚长的一端为正极，另一端为负极。2. 仪表判别法将万用表选至R100或R1K档，将两表笔分别与二极管的两脚相连，互换表笔测两次电阻值，若二极管是好的，则两次所测的阻值差异较大，阻值小的一次

24、为正向电阻，锗管一般在1001000左右，硅管为1K几k，阻值大的为二极管的反向电阻，其阻值应为50 K以上。取阻值小的次，则黑表笔接的就是二极管的正极，红表笔接的就是二极管的负极。如果测得的二次结果，阻值均很小，接近零欧姆时，说明被测二极管内部PN结击穿或已短路，反之，如二次阻值均极大，则说明二极管内部已断路。如果不知道被测二极管是硅管还是锗管，这时再借助一节干电池，就可以很快地加以判别，方法是在干电池（1.5V）的一端串一个电阻(约1 K),同时按极性与二极管相接,使二极管正向导通,这时用万用表测量二极管两端的压降,如为0.6-0.8V,即为硅管,如为0.2-0.4V即为锗管.晶体管型号命

25、名法的第二、第三部分字母的意义第二部分第三部分字母意义字母意义字母意义AN型、锗材料P普通型D低频大功率管BP型、锗材料V微波型CN型、硅材料W稳压管A高频大功率管DP型、硅材料C参量管APNP型、锗材料Z整流器T可控整流器BNPN型、锗材料L整流堆Y体效应器件CPNP型、硅材料S遂道管B雪崩管DNPN型、硅材料N阻尼管J阶跃恢复管E化合物材料U光电器件CS场效应器件K开关管BT晶体特殊器件X低频小功率管PINPIN型管PH复合管G高频小功率管JG激光器件第五节 三极管的认识三极管是由两个做在一起的PN结连接相应电极再封装而成，三极管具有放大电流的作用。三个电极名称：（B）基极 （E）发射极

26、（C）集电极用万用表判断三极管A. 判断三极管的管脚将万用表置于电阻R100档,用黑表笔接三极管的某一管脚(假设作为基极),再用红表笔分别接另外两个管脚，如果表针指示的两次都很大，该管便是NPN管，其中黑表笔所接的那一脚是基极，若表针指示的两个阻值均很小，则说明这是一只NPN管，黑表笔所接的那一管脚是基极，如果指针批示的值一个很大，一个很小，那么黑表笔所接的管脚就不是三极管的基极，再另换一管脚试，找出基极。判断基极后就可以进一步判断集电极和发射极，仍然用万用表R1K或R100档，将两表笔分别接除基极之外的两电极，如果是PNP型管，用一个100K电阻接于基极与红表笔之间，测得一电阻值，然后将两表

27、笔交换，同样在基极与红表笔之间接下来100 K电阻，又测得一电阻值，两次测量中阻值小的一次红表笔所对应的是PNP的集电极，黑表笔所对应的是发射极，如果是NPN型管，电阻要接于基极与黑表笔间，同样阻值小的一次黑表笔对应的是NPN管的集电极，红表笔对应的是发射极，若无电阻也可用潮湿的手代替电阻。B. 判断硅管和锗管因为硅管的正向压降一般为0.6-0.8V,而锗管的自向压降是0.2-0.4V左右,所以只要按图示测出UBE即可.测量后,若Ube的数值为0.5-0.9V,即为硅管,若Ube的数值为0.2-0.4V即为锗管.若对NPN管测量,只要把EB和电压表的极性反接一下即可.IB b c 10K eV

28、 EB 1.5V Ube同时也可用R1K档测发射结(发射极与基极)和集电结的正向电阻,硅管大约在3-10K,锗管大约在500-1000之间,测两结的反向电阻,硅管一般500K,锗管在100K左右.第六节 场效应管场效应管是一种利用电场效应来控制多数载流子运动的半导体器件,缩写为FET.场效应管分为结型场效应管(JFET),绝缘栅场效应管(IGFET)和金属氧化物-半导体场效应管(MOSFET),它们都有三个电极,即源极(S等同发射极)、栅极（G极，等同于基极）和漏极（D极，等同于集电极）使用场效应管的注意事项：1. 容易产生静电击穿损坏，所以测试，焊接的仪器，仪表，烙铁均应良好接地。2. 焊接顺序为S，D ，G 。不可颠倒，以防栅极感应击穿。3. 只能用手捏壳，不能捏电极。4. 注意放电。判断场效应管的电极本方法仅适用于结型场效应管，不适用MOS场效应管。方法：将万用表置于R1K档，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另两