静电放电模式(HBM、MM、IEC)电路及静电等级及比较_第1页
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文档简介

1、页J0内容LED静电击穿原理以PN结结构为主的LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难 免不受静电感应影响而产生感应电荷。若得不到及时释放，LED的两个电极上形成的较高 电压将直接加上led芯片的PN结两端。当电压超过LED的最大承受值后，静电电荷将以极短的瞬间（纳秒级别）在LED芯 片的两个电极之间进行放电，功率焦耳的热量将使得LED芯片内部的导电层、PN发光层 的局部形成高温，高温将会把这些层熔融成小孔，从而造成漏电以及短路的现象。ESD： Electrostatic Discharge.即是静电胶电每个从事锁件设计和生产的匸程师都必须拿握ESD的相关知识。为 J定址表征

2、ESD特性.一般将ESD转化成模型表达方式 ESD的模型有很多种.下面介绍墩常用的三种。l.HBM： Human Body Model,人体模盘：该模型表征人体带电接和虫器件放电.Rb为邹效人体电I】且.Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图 中同时给出了器件HBI模型的ESD零级。Hiimnii Bod lock 1JESDUMPeak Cuireii! 5 C200 V200 V tc 400 V二 400 V.ESD机器模型等效电卅图及其ESD等级S.CDM: Charged Device Model,充 电器件模型:半导体器件主婆采用三种封装型式（金呱陶瓷、塑料）。它们在装配.传递.试

3、验.测试、运输及存贮过程中. 由于管壳与其它绝缘材料（如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等）相互磨擦.就会使皆充帘电。器件本身作为 电容器的一个极板而存贮电荷.CDM模型就是基于己带电的器件通过管脚与地接触时.发生对地放电引起器件失效 而建立的.器件带电模型如下：C hmged Dfice Io(lelJESD22-C1013Voltage j111SourcePtak CiiireiH 5-1?AmpsTc InSClas I: 200 VCla翳 II 200 V tc 500 V CgB 5 IEC放电模式比较模式放电电路图静电等级噱式Chw A 200 VClaw B 200 Vtc 400 V CTC i 400 V.7t#Class 0：250 VCU$ IA 250 V w 500V Cb$5 IB: 500 V fol 000V Classic： IOOOVto2WOVCbw 22000 V to 4C

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