半导体工艺基础第三章 氧化_第1页
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Si + O2 SiO2 氧化层简介氧化层简介 氧化层简介氧化层简介 Silicon 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 USG: Undoped Silicate Glass未掺杂硅酸盐玻璃 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 氧化层应用氧化层应用 名称应用厚度说明 自然氧化层不希望的15-20A 屏蔽氧化层注入隔离，减小损伤200A热生长 掺杂阻挡层掺杂掩蔽400-1200A选择性扩散 场氧化层和LOCOS器件隔离3000- 5000A 湿氧氧化 衬垫氧化层为Si3N4提供应力减小 100-200A热生长很薄 牺牲氧化层去除缺陷1000A热氧化 栅氧化层用作MOS管栅介质30-120A干氧氧化 阻挡氧化层防止STI工艺中的污染100-200A 氧化层应用氧化层应用 B/A为线性速率常数；B为抛物线速率常数 二氧化硅色谱

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