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文档简介
1、电子器件(半导体芯片)制造业清洁生产评价指标体系 编制说明(征求意见稿)1 指标体系制定的主要产业政策介绍90年代初,我国从发达国家引进清洁生产的概念,并与多个国家开展了多种形式的合作。1997年4月,国家环境保护局制定并发布了关于推行清洁生产的若干意见,要求地方环境保护主管部门将清洁生产纳入已有的环境管理政策中,以便更深入地促进清洁生产。1995和2000年两次修订颁布的中华人民共和国大气污染防治法中均明确规定“企业应当优先采用能源利用效率高、污染物排放量少的清洁生产工艺,减少大气污染物的产生。”2002年6月29日,第九届全国人大常委会第二十八次会议通过中华人民共和国清洁生产促进法,该法于
2、2003年1月1日起实施。从此,清洁生产有了专门的法律保障。为贯彻落实清洁生产促进法,引导企业采用先进的清洁生产工艺和技术,全面推行清洁生产,国家经济贸易委员会、国家环境保护总局分别于2000,2004,2006年先后发布了3批国家重点行业清洁生产技术导向目录。该目录涉及冶金、石化、化工、轻工、纺织、机械、有色金属、建材、电力、煤炭,半导体等行业,共141项清洁生产技术,是行业主管部门在对本行业清洁生产技术进行认真筛选、审核的基础上,组织有关专家进行评审后确定的。这些技术经过生产实践证明,具有明显的经济和环境效益,同时对于推进清洁生产技术、工艺、设备、产品的升级换代,节约资源能源,促进经济增长
3、方式转变,实现资源优化配置具有重要的现实意义。在当今全球倡导“绿色制造”的大环境下,各国均相继出台了与电子电气产品污染控制与资源综合利用等相关的指令及法规,企业也通过不断改进技术方案做到合规。根据中华人民共和国清洁生产促进法,企业应开展清洁生产技术研究,通过改进设计、使用清洁的能源和原料、采用先进的工艺技术与设备、改善管理、综合利用等措施,从源头削减污染,提高资源利用效率,减少或者避免生产、服务和产品使用过程中污染物的产生和排放,以减轻或者消除对人类健康和环境的危害。另外,在我国电子信息产品污染控制管理办法中也提出要通过设计、生产过程中,改变研究设计方案、调整工艺流程、更换使用材料、革新制造方
4、式等技术措施,减少产品中有害物质的使用。同时,相关部门也在组织制定支撑上述法规的国家标准和行业标准。目前,工业和信息化部组织制定了有关清洁生产水平评价及审核的国家标准,明确了清洁生产水平评价指标体系;环境保护部也已经或正在组织制定一系列清洁生产标准,其中一些虽涉及到电子行业,但标准数量很少,而且其内容侧重点主要是排放指标的要求。此外,李毅中部长在加快产业结构调整 推进工业节能减排 署名文章中明确指出:“要加快推行清洁生产,积极推行资源综合利用,切实加强工业“三废”污染防治。加强工业清洁生产审核工作,编制工业先进适用清洁生产技术指南,制定清洁生产水平评价标准编制通则。抓紧重点行业、重点企业的工业
5、治污,把减排和治污紧密结合,标本兼治。控制污染源,实现少减排、零排放”。因此,作为信息产业中上游半导体行业,希望从产品生命周期的角度,从源头的有害物质减量化,生态设计,特别是工艺制造过程指导企业,制定相关产品清洁生产指导性技术文件,使企业采用优化技术,满足清洁生产审核要求,并达到排放要求。半导体芯片制造业作为高新产业往往被人误解为也是“清洁”的产业,但事实上,电子器件生产过程中使用了大量繁多的各种有机和无机物,并有许多有毒有害物,对环境危害较为严重,如不加以控制,将会产生较大的环境污染。我国在大力发展电子器件产业的同时,如果忽视其对环境产生的重大影响,势必将破坏我国的环境现状。电子器件是电子电
6、气产品中使用量较多,且其生产过程会使用一些有毒有害物质,如清洗剂,如不加以管控,容易污染环境,因此需要尽快研究、制定电子器件行业的清洁生产评价指标体系。2 半导体行业概况中国半导体行业协会表示,“十二五”期间,我国半导体行业的投资有望超过2700亿元,较“十一五”增加1倍。报道称我国将继续通过“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”支持集成电路产业,且支持力度还将加大。在政府的全方位扶持下,中国半导体产业将迎来一个“黄金时期”,龙头上市公司有望被培育成具有国际竞争力的企业。工信部此前也已明确,将努力打破资金、技术、市场、人才和政策瓶颈,在对集成电路产业加大投入的同时,“十二五”期间将大力推进企业
7、兼并重组,“培育形成具有国际竞争力的企业,实现产业群体性跃升发展”。2013年国家发展和改革委员会第21号令发布了产业结构调整指导目录(2011年本)(2013年修正)第28条明确提出信息产业中的半导体制造业是国家鼓励发展的优先产业。2.1 我国半导体芯片生产概况目前我国大陆及台湾地区8英寸及12英寸半导体厂商及生产能力见表1和表2。表1 8英寸半导体生产厂商及产能表1 12英寸半导体生产厂商及产能2.2 我国半导体行业技术发展推动半导体产业发展的技术因素总体上说有两个:一是芯片尺寸的缩小,已经实现1-0.5-0.35-0.25-0.18-0.13-0.11-0.09um的过渡,目前正向65-
8、45-32-22nm挺进;二是晶圆尺寸不断扩大,已从100-125-150-200-300mm得以实现,计划向400mm过渡 。据我们收集到的资料来看,目前全球已建、在建和拟建的300mm晶圆厂约为40座,基本上分布在美国,中国台湾,欧洲、日本、韩国、新加坡各地。在全球半导体产业由西向东从美国-欧洲/日本-韩国/台湾-中国大陆转移,国内半导体产业和技术得到了较好发展,信息化程度得以提高。但和发达国家相比,存在较大差距。目前,我国的半导体产业仍以加工为主,基本上半导体产品是发达国家如美国将要淘汰或者已经淘汰的产品。激烈的竞争使利润率很低,投资收益率很低,但是由于半导体产业是信息产业的基础,而知识
9、经济又建立在信息产业之上,因此半导体产业又是我国必须发展的产业,必须进行投资。美国之所以处于世界经济的领先地位,其最根本的原因是在高技术领域始终处于领先地位,在基础研究、应用研究和技术开发的各个环节做到了人力和资金的合理分配,使其科学研究产生了巨大的经济效益。我国包括半导体研究在内的研究现状,最大的问题就是不能在基础研究、应用研究和技术开发的各个环节中做到人力和资金的合理分配,应用性基础研究与技术开发处于一种脱节状态,基本上各自为政,各自在自己的领域内发展。这样应用研究就难以走向市场转化为现实的生产力;技术开发由于基础的薄弱,也难以有重大的成果。3 我国半导体制造业清洁生产技术发展趋势3.1提
10、高产品设计水平在电子产品批量上市以前,首先必须保证可以生产并有适当的成品率。设计人员拥有更大的机会对制造的成品和成功产生影响。力求在设计中解决制造问题。在设计和制造中暴露出来的早期缺陷,主要是来自系统方面的障碍。对半导体器件的设计,布局要求走线分离得更远,但同时又不影响整体面积。例如,热循环现象会导致铜互连线中产生拉应力。这些空隙最有可能在通孔的底部形成,从而使通孔成为引发良率和可靠性问题的首要因素。在设计时应尽可能在同一层面走线,以避免不必要盼通孔。当必须放置通孔时,优化布局和布线工具能够插入一些冗余的通孔。这样即使在某一通孔出现空隙时,也能够保持接触,从而提高成功接触的概率3.2 改进原料
11、和能源首先,应严格材料的纯度和粒子,减少杂质和粒子的引入。如半导体器件生产,硅单晶中存在着各种杂质,当一些杂质的含量超过它的掺杂浓度时,在制造中的各种温度下,它们的状态和完整性会不断发生变化,各种点缺陷会进入或离开点阵,呈选择性分布或聚集成团,在外应力作用下形成新的缺陷或发生缺陷增值。应控制对器件影响大的碱金属及重金属等金属杂质元素含量及C、O等非金属杂质元素的浓度。其次,对进厂元器件或半成品投入生产前进行各种温度、检漏、振动、高压电冲击等试验。产品或中间生产过程的半成品要按规定及时送检和计量,如利用测试结构对影响成品率的缺陷进行检测和查找,可准确判定影响成品率的有效缺陷,及时采取措施从而提高
12、成品率。再者,严格辅助材料的纯度。如超纯水水质、超纯气体、化学试剂等纯度的及时监测。3.3 优化生产工艺工艺贯穿于产品生产的全过程。企业应根据生产产品的复杂程度、加工、装配、检验、技术装备等制定相应的生产工艺。在电子产品生产工艺中,产品的可靠性和成品率关键在于线路板的清洗,清洗时应选择合适的清洗方式,严格控制水质。选择合适的清洗方式。超声清洗对于清除不溶性或难溶性焊剂残渣最有效;喷淋清洗适用耐压30伏以上的元器件;免清洗技术适用于生产批量大且元器件相同的产品;回收清洗法采用多级浸洗或多级逆流清洗,多用于电镀,多级浸洗方式是采用静止的水槽,定期将第一级回收槽的水全部拿去回收或补充镀槽液,第二、第
13、三级槽的水分别依次放入第一、第二级槽中,第三级加入新的水;多级逆流清洗法是水与镀件逆向依次流过第一、二、三级清洗槽,由第一级清洗槽排出。水质的控制。产品生产过程中多数需用超纯水清洗工序,而且清洗次数多,被加工件与水直接频繁接触,纯水对器件的成品率极其重要,并随集成度的提高和清洗次数的增多而更加重要。据美国提出的水质指标说明,集成度每提高一代,杂质都要减少l2l10。水质中,在水质的要求中,粒子、COD(化学需氧量)等,降低COD是当前和今后的最大难点。另外,还必须提高工序能力,尽可能加大允许的工艺参数规范范围,尽量减少工艺参数分布偏差。如重点解决压焊、粘片等工序的工艺规范,提高其工序能力指数,
14、从而提高成品率。3.4 严格过程控制半导体产品精度高,对生产过程和生产环境要求高。企业应可能对过程严格控制,并保持车间超净环境。过程控制方面的提高成品率的措施主要有以下几方面:实现制造工艺自动化,以人工操作为主的操作模式会造成企业在物流操作方面的高出错率。多数电子产品都具有复杂的性能,精度要求高,实现自动化可实现精确加工和批量生产,避免人为因素的影响。超净工艺环境因素,大概有5以下的成品率损失是由人和环境造成的。超净工艺环境因素主要包括空气洁净度、高纯水、压缩空气、C02、N2、温度、湿度等。洁净厂房的洁净级别常以单位体积的空气中最大允许的颗粒数即粒子计数浓度来衡量。加强检测,在生产过程中废品
15、产生量大的工位选择适当的关键点进行检测,及时采取4半导体芯片生产工艺及污染控制技术调查分析4.1 半导体生产工艺4.1.1 分立器件制造工艺最常见的双极管(Bipolar)之一的NPN 三极管流程如上图主要工艺有:氧化、光刻、埋层扩散、N 型外延、隔离扩散、基区扩散、发射区扩散、Al 金属化、CVD 钝化层等步骤。4.1.2 半导体芯片制造工艺集成电路制造可大致分为各独立的“单元”,如晶片制造、氧化、参杂、显影、刻蚀、薄膜等。各单元中又可再分为不同的“操作步骤”,如清洗、光阻涂布、曝光、显影、离子植入、光阻去除、溅镀、化学气相沉积等。上述单元将依功能设计不同,视需要重复操作。图1 半导体芯片制
16、造工艺基本流程4.1.3 封装工艺晶片在制造工艺后进入封装工艺,封装指从晶片上切割单个芯片到最后包装的一系列步骤。在冲切中,用激光或金刚石锯将单个芯片(或模片)从晶片上分离。然后通过锡焊或使用环氧树脂将金属结构(如铅)裱到芯片上。用混合溶剂或萜烃进行清洗。下一步是引线接合(插脚),使芯片的金属化部分与封装或框架连接起来。在封装阶段,用塑料或环氧树脂做的密封包装。在一些应用中也使用陶瓷盖。铅框是一个与金属条或铅相连的矩形金属框。铅连接晶片与电子设备。塑料封装铅框用一片金属,铜或合金制成,通过冲压或蚀刻。铅框和铅提供与电子部件的连外来研磨后的晶片 清洗 氧化 均胶 光刻显影 湿法/干法刻蚀 扩散、
17、离子注入化学气相沉淀(CVD) 化学机械抛光(CMP) 金属化等。图2 半导体封装工艺基本流程4.2 产污分析半导体生产过程中会产生各种污染物,其中对环境和人员健康影响较大的是废液污染和废气污染,下面列出一般工艺过程中可能产生的废液、废气及其污染特征。4.2.1废液污染来源与污染特性 废水污染源分为半导体芯片制造厂及半导体芯片封装厂,各有同。半导体芯片制造厂废水来源多且产生的污染化学物质相当繁杂,废水主要为超纯水清洗芯片、去光刻较及蚀刻等程序所排出的废液,如图1所示。各股废液来源及其所包含的污染化学物说明如表3所示。半导体封装过程主要污染源为切割、电镀、浸锡、清洗等废水,其中其电镀工艺产生的污
18、染物依产品差异而有同,包括镀锡铅、镀镍、镀银等,封装工艺各节点废液污染物可能来源见图2。各股废液来源及其所包含的污染化学物说明如表4所示。圆晶初成品氯化炉(初步氧化)扩散炉(扩散、离子注入)氧化炉(闸区氧化)溅镀机(金属化、CVD)圆晶成品清洗第四层光刻(接线光阻、蚀刻、清洗)第一层光刻(P区光阻、蚀刻、清洗)第二层光刻(闸区及接点区光阻、蚀刻、清洗)第三层光刻(接触区光阻、蚀刻、清洗)清洗废液酸碱液去光阻废液、清洗废液、蚀刻废液光阻液、蚀刻废液去光阻废液、清洗废液、蚀刻废液去光阻废液、清洗废液、蚀刻废液去光阻废液、清洗废液、蚀刻废液光阻液、蚀刻废液光阻液、蚀刻废液光阻液、蚀刻废液符号说明:
19、:连续性排放废液 :定期性排放废液图 1 半导体芯片制造过程中废液污染物可能来源表3 半导体芯片制造过程中产生的废液及其有毒有害物质废液种类有毒有害物质晶片清洗废液硫酸、双氧水、氢氟酸、氢氧化铵、盐酸去光阻废液二甲苯、乙酸丁酯、甲苯湿式蚀刻废液氢氟酸、氟化铵、硝酸、双氧水、盐酸、硫酸、醋酸、磷酸、氢溴酸、铝、硅洗炉管废液氢氟酸纯水设备再生废液氢氧化钠、盐酸、硫酸符号说明: :连续性排放废液晶圆成品晶圆切割晶片粘附打磨/封胶印码去筋打弯导线电镀浸锡清洗成品测试包装电子产品切割废液电镀废液浸锡废液清洗废液研磨废液图 2 半导体封装过程中废液污染物可能来源表4 半导体封装过程中产生的废液及其有毒有害
20、物质废液种类有毒有害物质切割/研磨废液含矽晶粉末,污染物质为SS电镀废液电镀前脱脂过程用到的有机物(油脂,SS,COD和螯合剂),Cu2+,Ni2+,Zn2+,Pb2+,Ag2+,氰化物,氟化物等浸锡废液助焊剂清洗废液硫酸,硝酸,双氧水,醋酸,磷酸纯水设备再生废液氢氧化钠、盐酸、硫酸4.2.2废气污染来源与污染特性 半导体生产管在硅晶圆、半导体芯片制造,或是半导体芯片封装,其生产制程都相当繁杂,制程中所使用的化学物质种类也相当多,而这些化学物质或溶剂的使用是半导体生产过程中主要的空气污染源,也因此使得半导体生产过程空气污染呈现少但种类繁多的特性。晶圆及半导体芯片制造过程中几乎每个步骤都分别使用
21、各式各样的酸碱物质、有机溶剂及毒性气体,而各种物质经过反应后又会生成种类更为复杂的产物,各制程使用的化学物质也相同,故所有制程几乎可能是空气污染源,且都为连续排放。图3中说明晶圆及半导体芯片制程中可能的污染源及其排放污染物。在半导体芯片封装过程中,可能的空气污染源包括:电镀区产生之酸碱废气、浸锡区产生之锡熏烟,以及清洗过程产生之酸气与有机溶剂蒸气等三大类,图4中标示半导体芯片封装过程可能产生的空气污染源及其排放的污染物。酸碱废气酸碱废气VOCs酸碱废气酸碱废气酸碱废气VOCsVOCsVOCs毒性气体圆晶初成品氯化炉(初步氧化)扩散炉(扩散、离子注入)氧化炉(闸区氧化)溅镀机(金属化、CVD)圆
22、晶成品第一层光刻(P区光阻、蚀刻、清洗)第二层光刻(闸区及接点区光阻、蚀刻、清洗)第三层光刻(接触区光阻、蚀刻、清洗)清洗酸碱废气毒性气体酸碱废气毒性气体毒性气体符号说明: :连续性排放废气 :定期性排放废气 VOCs:挥发性有机物第四层光刻(接线光阻、蚀刻、清洗)VOCs图 3 半导体芯片制造过程中废气污染物可能来源晶圆成品晶圆切割晶片粘附打磨/封胶印码去筋打弯导线电镀浸锡清洗成品测试包装电子产品酸碱废气锡烟酸气VOCs符号说明: :连续性排放废液VOCs:挥发性有机物图 4 半导体芯片封装过程中废气污染物可能来源半导体生产随着其制程使用同的化学物质,所产生的空气污染物种类与特性亦相同,可归
23、纳为酸碱废气、有机溶剂散蒸气、特殊毒性及燃烧性气体,表5为半导体生产过程所产生的空气污染物种类与成份。针对有毒气体处需因应各单元所排放的毒气特性,结合多种同型式毒气处方法及设备,阶段性地处各种同特性毒性气体物质,以确保处效,包装生产线员工的身体健康及生命安全。表5 半导体生产过程所产生的空气污染物种类与成份废气种类 污染物成份 污染源(工艺) 酸碱废气 酸气:HF、HCl、HNO3、H2SO4、CH3COOH、H3PO4、H2Cr2O7 碱气:NH3、NaOH 氧化、光刻、蚀刻、反应炉(氧化炉、扩散炉)后的清洗、CVD挥发性有机物(VOCs)二氯甲烷(CH2Cl2)、氯仿(CHCl3)、丁酮、
24、甲苯、乙本、丙酮、苯、二甲苯、乙酸丁酯、三氯乙烷、异丙醇、四甲基胺、氯醛、四氯乙烯、乙基苯、亚甲基二氨、丁基苯4-甲基-2戊酮(CH3)2CHCH2COCH3、Trans-D半导体芯片horoethene 光阻液清洗、显影液清除、蚀刻液清除、晶圆清洗 毒性气体 AsH3、PH3、SiH4 、B2H6、B4H10、 P2O5、 SiF4、CC14、HBr 、BF3、 A1C13、 B2O5、 As2O3、BCl3 、POC13、Cl2、HCN、SiH2Cl2氧化、光刻、蚀刻、扩散、CVD、离子注入燃烧气体 SiH4、AsH3、PH3、BF3、H2、SiH2Cl2离子注入、CVD、扩散 5 指标体
25、系情况简介5.1 电子器件清洁生产评价指标体系专业类别划分情况由于电子器件制造业各产品生产工艺差异较大,生产过程环境污染程度也不尽相同,因此根据专家建议,电子器件制造业清洁生产评价指标体系应按产品生产工艺特点制定成系列技术规范。根据产品生产工艺特点,进一步细分成电子真空器件制造业,半导体材料,半导体芯片制造业,半导体封装业,光电子器件制造业五个行业。由于半导体芯片制造业相对于其它四个行业环境污染程度较大,故优先制定电子器件(半导体芯片)制造业清洁生产评价指标体系。5.2范围:本指标体系适用于半导体芯片制造业清洁生产水平评价、清洁生产审核;新扩改建项目环境影响评价、新建项目审批核准;企业环保核查
26、、节能评估等。本指标体系适应的半导体芯片制造包括集成电路芯片制造,分立器件芯片制造和薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)制造。5.3指标体系制定原则本指标体系要符合产品生命周期分析理论的要求,充分体现全过程污染预防思想,以帮助电子器件生产企业进行污染源核查,生产工艺中清洁生产潜力与机会判断,指标体系的建立,消减方案的建立等工作,实现清洁生产。其具体原则体现在如下几个方面:(1) 符合清洁生产标准编制要求的原则。清洁生产标准按照国家现行通用的清洁生产指标,按照清洁生产标准的“六类”指标要求(生产工艺装备及技术、资源能源消耗指标、资源综合利用指标、污染物产生指标、产品特征指标和清洁生产管理指标)
27、,综合考虑电子器件产品生产实际,指标采用定性、定量相结合的方式。(2) 符合清洁生产的思路,体现生产全过程以预防为主的原则。符合产品生命周期分析理论的要求,充分体现全过程污染预防思想,并覆盖从原材料的选取到生产过程和产品的处理处置的各个环节。(3) 考虑清洁生产水平,因地制宜,分阶段实施原则。根据生产特点,特别是生产设备和原材料来源不同,技术经济指标不同。考虑到要调动大多数企业的积极性,以及今后进行清洁生产企业的绩效评定和公告制度的需要制定清洁生产标准。并确定了相应的清洁生产分级。(4) 符合产业政策、资源综合利用以及节能减排趋势的要求的原则。根据生产特点,特别是资源综合利用工艺不同,技术经济
28、指标不同,各个企业的指标均相差较大。因此,考虑到大多数电子器件生产企业的积极性,以及今后进行清洁生产企业的绩效评定和企业清洁生产绩效公告制度的需要。 (5) 与现行管理制度相结合的原则。充分考虑电子器件产品生产工艺特点,与国内现行环境管理制度(环境影响评价、限期治理、排污许可证)相结合,以环境保护为重点,作为污染预防战略的技术支持。5.4 指标体系参考资料(1) 我国清洁生产技术规范整合研究报告(国家环科院清洁生产与循环经济研究中心,2012 年4 月)。(2) 工业和信息化部关于进一步加强工业节水工作的意见(中华人民共和国工业和信息化部,工信部节2010218 号);(3) 清洁生产评价指标
29、体系编制通则(试行稿),(中华人民共和国国家发展和改革委员会,中华人民共和国环境保护部,中华人民共和国工业和信息化部公告,2013年第33号)(4) 产业结构调整指导目录(2011年本)(2013年修正),国家发展和改革委员会令 第 21 号(5) 电子电气产品清洁生产技术指南 半导体器件SJ/Z XXXX-XXXX(6) 清洁生产标准 集成电路芯片制造业 HJ/T XXXX-XXXX(7) 清洁生产标准 光电子器件制造业 HJ/T XXXX-XXXX(8) 清洁生产标准 TFT-LCD件制造业 HJ/T XXXX-XXXX(9) 电子工业污染物排放标准 GB/T XXXX-XXXX6 指标体
30、系编制指导思想本指标体系遵循“科学、合理、易操作”的原则进行编制。指标体系的编制体现了生产全过程预防控制和源头削减的思想。本指标体系框架及定量、定性指标内容的确定,充分依据现行的产业结构调整指导目录、工业和信息化部关于钢铁工业节能减排的指导意见、和电子器件(半导体芯片)行业清洁生产标准化工作现状、并充分考虑了国内外已有的清洁生产技术成果和成功的清洁生产管理经验、电子器件(半导体芯片)行业未来的发展趋势等信息内容。指标体系中指标的选取考虑了半导体芯片生产特点和指标的典型性、代表性、统计指标数据容易获得等因素,使编制的指标体系具有可操作性。7 指标体系框架的确立本指标体系评价指标体系框架的确立,主
31、要依据我国清洁生产技术规范整合研究报告和清洁生产评价指标体系编制通则(试行稿两个文件,并结合钢铁行业生产特点,吸收采纳了已颁布或已编制完成而未颁布清洁生产标准的研究成果予以确定。8 指标选取(1)指标分类上述六大类清洁生产一级指标当中,生产工艺与装备指标是通过调查国内外同行业的先进生产工艺与装备水平,在满足国家半导体芯片产业政策要求及工艺特点的基础上,采用清洗工艺,VOC和ODS物质处理设备及技术先进性等。资源能源消耗指标为行业常用的经济指标。该指标目的是促进企业采用节能、节水、节材工艺参数,最大限度降低资源、能源的消耗,提高资源能源利用效率。具体指标包括:单位产品新鲜水用量、单位产品电耗和单
32、位产品氢氟酸使用量等指标。资源综合利用指标的目的是促进半导体芯片生产企业水资源综合利用率指标。污染物产生指标是根据半导体芯片生产工艺特点,选择废水,铅,砷,烷基汞,氰化物,氨氮,COD和ODS物质等工艺控制指标参数。产品特征指标的目的是促使企业采用先进的企业质量管理规程,严格控制产品中限用有害物质含量和产品包装材料相关指标参数。清洁生产管理水平是影响各行业清洁生产绩效的重要因素。清洁生产管理指标要求企业从清洁生产审核制度执行、清洁生产部门设置和人员配备、清洁生产管理制度、环评制度、“三同时”制度执行情况等管理环境中对环境影响大的方面,根据各行业的具体情况提出规范性要求。具体指标包括法律法规、产
33、业政策执行情况、清洁生产审核制度的执行情况、生产过程控制、环境应急预案有效、环境信息公开等。对于半导体芯片生产,根据生产工艺特点分为:1)6英寸及以下芯片产品的平均光刻层20层以下;2)8英寸芯片芯片产品的平均光刻层30层以下;3)12英寸芯片芯片产品的平均光刻层50层以下。(2)指标基准值的确定考核基准值的选取,既要考虑政策要求,也要考虑当前的行业实际情况。因此,在选取考核基准值时,在符合国家现行产业发展、环境保护政策和行业发展规划要求的前提下,充分考虑水泥行业的现有水平,将国际领先水平划分为一级基准值,将行业准入要求划分二级基准值,将现有水泥企业的平均水平划分为三级基准值。此外,清洁生产是
34、一个相对概念,它将随着经济发展和技术更新而不断完善,达到新的更高、更先进的水平。因此清洁生产评价指标的考核基准值,也应视行业技术进步趋势和国内企业情况进行不定期调整,不能一成不变,其调整周期最长不应超过5年。(3)权重分值的确定清洁生产评价指标的权重值反映了该指标在整个清洁生产评价指标体系中所占的比重。它原则上是根据该项指标对水泥企业清洁生产实际效益和水平的影响程度大小及其实施的难易程度来确定的。一级指标的权重集, , 二,指标的权重集。其中, 。也就是一级指标的权重之和为1,每个一级指标下的二级指标权重之和为1。(4)关于最佳可行技术(BAT)的说明“最佳可行技术”实践代表针对各种生产活动、工艺过程产生的各种环境污染问题,在经济和技术可行的条件下,采用在公共基础设施和工业部门得到应用的最有效、先进、可行的污染防治工艺和技术减少污染物的排放,特别是通过生产过程的清洁生产管理措施预防、减少污染物的跑、冒、滴、漏造成的污染,从整体上减少对环境的影响。最佳可行技术为制定排放限值提供了基础,代表了污染防治技术、工艺和相关运行、维护管理等发展的最新阶段,它表明了某种特定技术在满足排放
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