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文档简介

1、实验三 功率场效应晶体管(mosfet)特性与驱动电路研究一实验目的:1熟悉mosfet主要参数的测量方法2掌握moseet对驱动电路的要求3掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法二实验内容1mosfet主要参数:开启阀值电压vgs(th),跨导gfs,导通电阻rds 输出特性id=f(vsd)等的测试2驱动电路的输入,输出延时时间测试.3电阻与电阻、电感性质载时,mosfet开关特性测试4有与没有反偏压时的开关过程比较5栅-源漏电流测试三实验设备和仪器1mcl-07电力电子实验箱中的mosfet与pwm波形发生器部分2双踪示波器(自配)3毫安表4电流表5电压表四、实验线路见图22五实验方法

2、1mosfet主要参数测试(1)开启阀值电压vgs(th)测试开启阀值电压简称开启电压,是指器件流过一定量的漏极电流时(通常取漏极电流id=1ma)的最小栅源电压。在主回路的“1”端与mos 管的“25”端之间串入毫安表,测量漏极电流id,将主回路的“3”与“4”端分别与mos管的“24”与“23”相连,再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量mos管的栅源电压vgs,并将主回路电位器rp左旋到底,使vgs=0。将电位器rp逐渐向右旋转,边旋转边监视毫安表的读数,当漏极电流id=1ma时的栅源电压值即为开启阀值电压vgs(th)。读取67组id、vgs,其中id=1ma必测,填入表26。表

3、26id(ma)1vgs(v)(2)跨导gfs测试双极型晶体管(gtr)通常用hfe()表示其增益,功率mosfet器件以跨导gfs表示其增益。跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比,即gfs=id/vgs。典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和vds=15v下测得,受条件限制,实验中只能测到1/5额定漏极电流值。根据表26的测量数值,计算gfs。(3)转移特性idf(vgs)栅源电压vgs与漏极电流id的关系曲线称为转移特性。根据表26的测量数值,绘出转移特性。 (4)导通电阻rds测试导通电阻定义为rds=vds/id将电压表接至mos 管的“25”与“23”两端,测量

4、uds,其余接线同上。改变vgs 从小到大读取id与对应的漏源电压 vds,测量5-6组数值,填入表27。表27id(ma)1vds(v)(5)idf(vsd)测试idf(vsd)系指vgs0时的vds特性,它是指通过额定电流时,并联寄生二极管的正向压降。a在主回路的“3”端与mos管的“23” 端之间串入安培表,主回路的“4”端与mos管的“25”端相连,在mos管的“23”与“25”之间接入电压表,将rp右旋转到底,读取一组id与vsd的值。b将主回路的“3”端与mos管的“23”端断开,在主回路“1”端与mos管的“23”端之间串入安培表,其余接线与测试方法同上,读取另一组id与vsd的

5、值。c将“1”端与“23”端断开,在在主回路“2”端与“23”端之间串入安培表,其余接线与测试方法同上,读取第三组id与vsd的值。2快速光耦6n137输入、输出延时时间的测试将mosfet单元的输入“1”与“4”分别与pwm波形发生器的输出“1”与“2”相连,再将mosfet单元的“2”与“3”、“9”与“4”相连,用双踪示波器观察输入波形(“1”与“4”)及输出波形(“5”与“9”之间),记录开门时间ton、关门时间toff。ton= ,toff=3驱动电路的输入、输出延时时间测试在上述接线基础上,再将“5”与“8”、“6”与“7”、“10”、“11”与“12”、“13”、“14”与“16

6、”相连,用示波器观察输入“1”与“4”及驱动电路输出“18”与“9”之间波形,记录延时时间toff。4电阻负载时mosfet开关特性测试(1)无并联缓冲时的开关特性测试在上述接线基础上,将mosfet单元的“9”与“4”连线断开,再将“20”与“24”、“22”与“23”、“21”与“9”以及主回路的“1”与“4”分别和mosfet单元的“25”与“21”相连。用示波器观察“22”与“21”以及“24”与“21”之间波形(也可观察“22”与“21”及“25”与“21”之间的波形),记录开通时间ton与存储时间ts。ton= ,ts=(2)有并联缓冲时的开关特性测试在上述接线基础上,再将“25”

7、与“27”、“21”与“26”相连,测试方法同上。5电阻、电感负载时的开关特性测试(1)有并联缓冲时的开关特性测试将主回路“1”与mosfet单元的“25”断开,将主回路的“2”与mosfet单元的“25”相连,测试方法同上。(2)无并联缓冲时的开关特性测试将并联缓冲电路断开,测试方法同上。6有与没有栅极反压时的开关过程比较(1)无反压时的开关过程上述所测的即为无反压时的开关过程。(2)有反压时的开关过程将反压环节接入试验电路,即断开mosfet单元的“9”与“21”的相连,连接“9”与“15”,“17”与“21”,其余接线不变,测试方法同上,并与无反压时的开关过程相比较。7不同栅极电阻时的开

8、关特性测试电阻、电感负载,有并联缓冲电路(1)栅极电阻采用r6=200时的开关特性。(2)栅极电阻采用r7=470时的开关特性。(3)栅极电阻采用r8=1.2k时的开关特性。8栅源极电容充放电电流测试电阻负载,栅极电阻采用r6,用示波器观察r6两端波形并记录该波形的正负幅值。9消除高频振荡试验当采用电阻、电感负载,无并联缓冲,栅极电阻为r6时,可能会产生较严重的高频振荡,通常可用增大栅极电阻的方法消除,当出现高频振荡时,可将栅极电阻用较大阻值的r8。六实验报告1根据所测数据,列出mosfet主要参数的表格与曲线。2列出快速光耦6n137与驱动电路的延时时间与波形。3绘出电阻负载,电阻、电感负载

9、,有与没有并联缓冲时的开关波形,并在图上标出ton、toff。4绘出有与没有栅极反压时的开关波形,并分析其对关断过程的影响。5绘出不同栅极电阻时的开关波形,分析栅极电阻大小对开关过程影响的物理原因。6绘出栅源极电容充放电电流波形,试估算出充放电电流的峰值。7消除高频振荡的措施与效果。8实验的收获、体会与改进意见。六、思考题1增大栅极电阻可消除高频振荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下,增大栅极电阻能消除高频振荡的原因。2从实验所测的数据与波形,请你说明mosfet对驱动电路的基本要求有哪一些?你能否设计一个实用化的驱动电路。3从理论上说,mosfet的开、关时间是很短的,一般为纳秒级

10、,但实验中所测得的开、关时间却要大得多,你能否分析一下其中的原因吗?实验四 绝缘栅双极型晶体管(igbt)特性与驱动电路研究一实验目的1熟悉igbt主要参数与开关特性的测试方法。2掌握混合集成驱动电路exb840的工作原理与调试方法。二实验内容1igbt主要参数测试。2exb840性能测试。3igbt开关特性测试。4过流保护性能测试。三实验设备和仪器1nmcl-07电力电子实验箱中的igbt与pwm波形发生器部分。2双踪示波器。(自配)3毫安表4电压表5电流表6教学实验台主控制屏四实验线路见图23五实验方法1igbt主要参数测试(1)开启阀值电压vgs(th)测试在主回路的“1”端与igbt的

11、“18”端之间串入毫安表,将主回路的“3”与“4”端分别与igbt管的“14”与“17”端相连,再在“14”与“17”端间接入电压表,并将主回路电位器rp左旋到底。将电位器rp逐渐向右旋转,边旋转边监视毫安表,当漏极电流id=1ma时的栅源电压值即为开启阀值电压vgs(th)。读取67组id、vgs,其中id=1ma必测,填入表28。表28id(ma)1vgs(v) (2)跨导gfs测试在主回路的“2”端与igbt的“18”端串入安培表,将rp左旋到底,其余接线同上。将rp逐渐向右旋转,读取id与对应的vgs值,测量5-6组数据,填入表29。表29id(ma)1vgs(v)(3)导通电阻rds

12、测试将电压表接入“18”与“17”两端,其余同上,从小到大改变vgs,读取id与对应的漏源电压vds,测量5-6组数据,填入表210。表210id(ma)1vgs(v)2exb840性能测试(1)输入输出延时时间测试igbt部分的“1”与“13”分别与pwm波形发生部分的“1”与“2”相连,再将igbt部分的“10”与“13”、与门输入“2”与“1”相连,用示波器观察输入“1”与“13”及exb840输出“12”与“13”之间波形,记录开通与关断延时时间。ton= ,toff=(2)保护输出部分光耦延时时间测试将igbt部分“10”与“13”的连线断开,并将“6”与“7”相连。用示波器观察“8

13、”与“13”及“4”与“13” 之间波形,记录延时时间。(3)过流慢速关断时间测试接线同上,用示波器观察“1”与“13”及“12”与“13”之间波形,记录慢速关断时间。(4)关断时的负栅压测试断开“10”与“13”的相连,其余接线同上,用示波器观察“12”与“17”之间波形,记录关断时的负栅压值。(5)过流阀值电压测试断开“10”与“13”,“2”与“1”的相连,分别连接“2”与“3”,“4”与“5”,“6”与“7”,将主回路的“3”与“4”分别和“10”与“17”相连,即按照以下表格的说明连线。 igbt:17 主回路:4igbt:10主回路:3igbt:4igbt:5igbt:6igbt:

14、7igbt:2 igbt:3igbt:12igbt:14rp左旋到底,用示波器观察“12”与“17”之间波形,将rp逐渐向右旋转,边旋转边监视波形,一旦该波形消失时即停止旋转,测出主回路“3”与“4”之间电压值,该值即为过流保护阀值电压值。(6)4端外接电容器c1功能测试供教师研究用exb840使用手册中说明该电容器的作用是防止过流保护电路误动作(绝大部分场合不需要电容器)。ac1不接,测量“8”与“13”之间波形。b“9”与“13”相连时,测量“8”与“13” 之间波形,并与上述波形相比较。3开关特性测试(1)电阻负载时开关特性测试将“1”与“13”分别与波形发生器“1”与“2”相连,“4”

15、与“5”,“6”与“7”,2“与”3“,“12”与“14”,“10”与“18”, “17”与“16”相连,主回路的“1”与“4”分别和igbt部分的“18”与“15”相连。即按照以下表格的说明连线。igbt:1pwm:1igbt:13pwm:2igbt:4igbt:5igbt:6igbt:7igbt:2 igbt:3igbt:12igbt:14igbt:17igbt:16igbt:10igbt:18 igbt:15 主回路:4igbt:18主回路:1 用示波器分别观察“8”与“15”及“14”与“15”的波形,记录开通延迟时间。(2)电阻,电感负载时开关特性测试将主回路“1”与“18”的连线断

16、开,再将主回路“2”与“18”相连,用示波器分别观察“8”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。(3)不同栅极电阻时开关特性测试将“12”与“14”的连线断开,再将“11”与“14”相连,栅极电阻从r53k改为r4=27,其余接线与测试方法同上。4并联缓冲电路作用测试(1)电阻负载,有与没有缓冲电路时观察“14”与“17”及“18”与“17”之间波形。(2)电阻,电感负载,有与没有缓冲电路时,观察波形同上。5过流保护性能测试,栅计电阻用r4在上述接线基础上,将“4”与“5”,“6”与“7”相连,观察“14”与“17”之间波形,然后将“10”与“18”之间连线断开,并观察驱动波

17、形是否消失,过流指示灯是否发亮,待故障消除后,揿复位按钮即可继续进行试验。六实验报告1根据所测数据,绘出igbt的主要参数的表格与曲线 。2绘出输入、输出及对光耦延时以及慢速关断等波形,并标出延时与慢速关断时间。3绘出所测的负栅压值与过流阀值电压值。4绘出电阻负载,电阻电感负载以及不同栅极电阻时的开关波形,并在图上标出ton 与toff。5绘出电阻负载与电阻、电感负载有与没有并联缓冲电路时的开关波形,并说明并联缓冲电路的作用。6过流保护性能测试结果,并对该过流保护电路作出评价。7实验的收获、体会与改进意见。七思考题1试对由exb840构成的驱动电路的优缺点作出评价。2在选用二极管v1时,对其参

18、数有何要求?其正向压降大小对igbt的过流保护功能有何影响?3通过mosfet与igbt器件的实验,请你对两者在驱动电路的要求,开关特性与开关频率,有、无反并联寄生二极管,电流、电压容量以及使用中的注意事项等方面作一分析比较。实验五 直流斩波电路的性能研究一实验目的熟悉降压斩波电路(buck chopper)和升压斩波电路(boost chopper)的工作原理,掌握这两种基本斩波电路的工作状态及波形情况。二实验内容1sg3525芯片的调试。2降压斩波电路的波形观察及电压测试。3升压斩波电路的波形观察及电压测试。三实验设备及仪器1电力电子教学实验台主控制屏。2nmcl-16组件。3nmel-0

19、3电阻箱 (900/0.41a)。4万用表(自配)。5双踪示波器(自配)6直流安培表。四实验方法1sg3525的调试。原理框图见图26。将扭子开关s1打向“直流斩波”侧,s2电源开关打向“on”,将“3”端和“4”端用导线短接,用示波器观察“1”端输出电压波形应为锯齿波,并记录其波形的频率和幅值。扭子开关s2扳向“off”,用导线分别连接“5”、“6”、“9”,用示波器观察“5”端波形,并记录其波形、频率、幅度,调节“脉冲宽度调节”电位器,记录其最大占空比和最小占空比。dmax=dmin=2实验接线图见图27。(1)切断nmcl-16主电源,分别将“主电源2”的“1”端和“直流斩波电路”的“1

20、”端相连,“主电源2”的“2”端和“直流斩波电路”的“2”端相连,将“pwm波形发生”的“7”、“8”端分别和直流斩波电路vt1的g1s1 端相连,“直流斩波电路”的“4”、“5”端串联nmel-03电阻箱 (将两组900/0.41a的电阻并联起来,顺时针旋转调至阻值最大约450),和直流安培表(将量程切换到2a挡)。(2)检查接线正确后,接通控制电路和主电路的电源(注意:先接通控制电路电源后接通主电路电源 ),改变脉冲占空比,每改变一次,分别观察pwm信号的波形,mosfet的栅源电压波形,输出电压、u0波形,输出电流i0的波形,记录pwm信号占空比d,ui、u0的平均值ui和u0。(3)改变负载r的值(注意:负载电流不能超过1a),重复上述内容2。(4)切断主电

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