中高频熔炼设备项目投资分析报告

1、泓域咨询/中高频熔炼设备项目投资分析报告中高频熔炼设备项目投资分析报告MACRO 泓域咨询 报告说明半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。该中高频熔炼设备项目计划总投资11697.47万元，其中：固定资产投资8745.30万元，占项目总投资的74.76%；流动资金2952.17万元，占项目总投资的25.24%。达产年营业收入21166.00万元，总成本费用16850.66万元，税金及附加191.0

2、9万元，利润总额4315.34万元，利税总额5101.65万元，税后净利润3236.51万元，达产年纳税总额1865.15万元；达产年投资利润率36.89%，投资利税率43.61%，投资回报率27.67%，全部投资回收期5.11年，提供就业职位439个。半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设

3、备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。目录第一章 项目基本信息第二章 投资单位说明第三章 项目必要性分析第四章 产业研究分析第五章 项目投资建设方案第六章 选址分析第七章 土建方案第八章 工艺技术说明第九章 环境保护可行性第十章 项目生产安全第十一章 项目风险评估第十二章 节能分析第十三章 实施计划第十四章 项目投资计划方案第十五章 项目经营收益分析第十六章 结论第十七章 项目招投标方案第一章 项目基本信息一、项目提出的理由中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆

4、厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士

5、早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料

6、量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。二、项目概况（一）项目名称中高频熔炼设备项目（二）项目选址xxx产业示范基地对周围环境不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现行标准的允许范围，不会引

7、起当地居民的不满，不会造成不良的社会影响。项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。（三）项目用地规模项目总用地面积29914.95平方米（折合约44.85亩）。（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数76.66%，建筑容积率1.01，建设区域绿化覆盖率7.36%，固定资产投资强度194.99万元/亩。（五）土建工程指标项目净用地面积29914.95平方米，建筑物基底占地面积22932.80平方米，总建筑面积30214.10平方米，其中：规划建设主体工程21114.28平方米，项目规划绿化

8、面积2222.36平方米。（六）设备选型方案项目计划购置设备共计135台（套），设备购置费3045.31万元。（七）节能分析1、项目年用电量1088758.45千瓦时，折合133.81吨标准煤。2、项目年总用水量18675.55立方米，折合1.60吨标准煤。3、“中高频熔炼设备项目投资建设项目”，年用电量1088758.45千瓦时，年总用水量18675.55立方米，项目年综合总耗能量（当量值）135.41吨标准煤/年。达产年综合节能量50.08吨标准煤/年，项目总节能率29.93%，能源利用效果良好。（八）环境保护项目符合xxx产业示范基地发展规划，符合xxx产业示范基地产业结构调整规划和国家

9、的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。（九）项目总投资及资金构成项目预计总投资11697.47万元，其中：固定资产投资8745.30万元，占项目总投资的74.76%；流动资金2952.17万元，占项目总投资的25.24%。（十）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（十一）项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入21166.00万元，总成本费用16850.66万元，税金及附加191.09万元，利润总额4315.34万元，利税总额5101.65万元，税后净利润3236.51万元，达产年纳税总额18

10、65.15万元；达产年投资利润率36.89%，投资利税率43.61%，投资回报率27.67%，全部投资回收期5.11年，提供就业职位439个。（十二）进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。项目承办单位一定要做好后勤供应和服务保障工作，确保不误前方施工。对于难以预见的因素导致施工进度赶不上计划要求时及时研究，项目建设单位要认真制定和安排赶工计划并及时付诸实施。三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xxx产业示范基地及xxx产业示范基地中高频熔炼设备行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进xxx产业示范基地中高频熔炼设备产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化

11、有着积极的推动意义。2、xxx有限公司为适应国内外市场需求，拟建“中高频熔炼设备项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xxx产业示范基地经济发展，为社会提供就业职位439个，达产年纳税总额1865.15万元，可以促进xxx产业示范基地区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率36.89%，投资利税率43.61%，全部投资回报率27.67%，全部投资回收期5.11年，固定资产投资回收期5.11年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。中共中央、国务院发布关于深化投融资体制改革的意见，提出建立完善企业自主决策、融资渠道畅通，职能转变到位、政府行为

12、规范，宏观调控有效、法治保障健全的新型投融资体制。改善企业投资管理，充分激发社会投资动力和活力，完善政府投资体制，发挥好政府投资的引导和带动作用，创新融资机制，畅通投资项目融资渠道。民营企业和民间资本是培育和发展战略性新兴产业的重要力量。鼓励和引导民营企业发展战略性新兴产业，对于促进民营企业健康发展，增强战略性新兴产业发展活力具有重要意义。紧紧抓住新一轮技术创新浪潮带来的重大历史机遇，深入实施创新驱动发展战略，为制造业的创新发展和转型升级提供了强有力的智力支撑。2015年，企业研发经费占主营业务收入比重达到1.6%，位居全省第一。发明专利申请量达24197件，发明专利授权量达5480件，万人发

13、明专利拥有量达25件，均位居全省前列。我市已经拥有省级以上工程技术研究中心506家，国家、省级高技术研究重点实验室10家，国家级国际合作基地9家，省级外资研发中心41家，省级国际技术转移中心8家，入选“全省重点企业研发机构”84家。四、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米29914.9544.85亩1.1容积率1.011.2建筑系数76.66%1.3投资强度万元/亩194.991.4基底面积平方米22932.801.5总建筑面积平方米30214.101.6绿化面积平方米2222.36绿化率7.36%2总投资万元11697.472.1固定资产投资万元8745.302

14、.1.1土建工程投资万元2219.002.1.1.1土建工程投资占比万元18.97%2.1.2设备投资万元3045.312.1.2.1设备投资占比26.03%2.1.3其它投资万元3480.992.1.3.1其它投资占比29.76%2.1.4固定资产投资占比74.76%2.2流动资金万元2952.172.2.1流动资金占比25.24%3收入万元21166.004总成本万元16850.665利润总额万元4315.346净利润万元3236.517所得税万元1.018增值税万元595.229税金及附加万元191.0910纳税总额万元1865.1511利税总额万元5101.6512投资利润率36.89

15、%13投资利税率43.61%14投资回报率27.67%15回收期年5.1116设备数量台（套）13517年用电量千瓦时1088758.4518年用水量立方米18675.5519总能耗吨标准煤135.4120节能率29.93%21节能量吨标准煤50.0822员工数量人439 第二章 投资单位说明一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx科技发展公司（二）公司简介公司是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业，专注于产品，致力于产品的设计与开发，各种生产流水线工艺的自动化智能化改造，为客户设计开发各种产品生产线。本公司奉行“客户至上，质量保障”的服务宗旨，树立“一切为客户着想” 的经营理念，以

16、高效、优质、优惠的专业精神服务于新老客户。 公司坚持以市场需求为导向、以科技创新为中心，在品牌建设方面不断努力。先后获得国家级高新技术企业等资质荣。公司自成立以来，在整合产业服务资源的基础上，积累用户需求实现技术创新，专注为客户创造价值。二、公司经济效益分析上一年度，xxx有限公司实现营业收入9983.08万元，同比增长29.89%（2297.04万元）。其中，主营业业务中高频熔炼设备生产及销售收入为9168.05万元，占营业总收入的91.84%。上年度营收情况一览表序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入2096.452795.262595.602495.779983.082主

17、营业务收入1925.292567.052383.692292.019168.052.1中高频熔炼设备(A)635.35847.13786.62756.363025.462.2中高频熔炼设备(B)442.82590.42548.25527.162108.652.3中高频熔炼设备(C)327.30436.40405.23389.641558.572.4中高频熔炼设备(D)231.03308.05286.04275.041100.172.5中高频熔炼设备(E)154.02205.36190.70183.36733.442.6中高频熔炼设备(F)96.26128.35119.18114.60458.4

18、02.7中高频熔炼设备(.)38.5151.3447.6745.84183.363其他业务收入171.16228.21211.91203.76815.03根据初步统计测算，公司实现利润总额2394.39万元，较去年同期相比增长386.94万元，增长率19.28%；实现净利润1795.79万元，较去年同期相比增长332.00万元，增长率22.68%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元9983.08完成主营业务收入万元9168.05主营业务收入占比91.84%营业收入增长率（同比）29.89%营业收入增长量（同比）万元2297.04利润总额万元2394.39利润总额增长率19.28%利

19、润总额增长量万元386.94净利润万元1795.79净利润增长率22.68%净利润增长量万元332.00投资利润率40.58%投资回报率30.44%财务内部收益率29.14%企业总资产万元20497.13流动资产总额占比万元30.48%流动资产总额万元6248.04资产负债率41.91% 第三章 项目必要性分析一、中高频熔炼设备项目背景分析在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程

20、度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反

21、应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。光刻工艺价值巨大，ASML独领风骚。即使是微米级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费

22、时间约占40%-60%。而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。

23、刻蚀工艺：按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。在刻蚀设备领域，美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。中微半导

24、体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半导体生产线，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。随着中微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。离子注入工艺及设备：是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。高温热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去

25、，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。在离子注入机领域，美国应用材料占据了70%以上的市场份额。成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄

26、膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是IC制造的一个基础工艺，加工难度较高。该环节设备投资占整体设备的14%-15%。在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以

27、外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验证阶段。二、中高频熔炼设备项目建设必要性分析半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中

28、的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。I

29、C设计：是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。IC制造：制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。i.镀膜工艺：通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构

30、成绝缘层，使CPU不再漏电；ii.光刻工艺：通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。IC测封：封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最

31、后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。将原料放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为电子级硅。然后在单晶炉中使用提拉

32、法得到单晶硅。即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料硅晶圆片。 第四章 产业研究分析一、中高频熔炼设备行业分析半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子

33、注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产

34、品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。2008、2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%，2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备销售，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。分产品来看，SEMI预计2017年晶圆加工设备达到

35、398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看，全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区，2016年占比分别为16%、11%、19%、11%和30%。中国大陆在05年仅占4%，近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元，同比增长32%，并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。同时，SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元，超过台湾

36、成为全球第一大市场。晶圆产能集中度提高，12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来12英寸产能预计会继续扩张。但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元，几

37、乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒，领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。二、中高频熔炼设备市场分析预测中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年

38、中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU

39、，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在政策和资本的双重驱动下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新一轮发展浪潮。除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。目前兴建中技术水平最高的厂商依然

40、是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖28-14nm，并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2018年正式投产。而作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12英寸晶圆厂，这也意味着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线，原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第二座12英寸晶圆3DNANDFlash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。叠加现有产能，则未来中国12英寸

41、晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导体设备的需求。从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸产线的同时，8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主要是中芯国际（天津）Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条，其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。中国晶圆厂投资迎来爆发期。我们统计了国内所有8英寸及12英寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看，2017-2020年是晶圆厂投资的高峰期。这四年内，将有20条产线12英

42、寸晶圆产线实现量产，其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三星、美国AOS、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、福建晋华、德克玛、SK海力士各一条，合计投资金额约6827亿元（去除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向，项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相比目前的量产规模增长65%，新增投资247亿元。来国内半导体设备市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆厂投资数据。在过去的十年中，全球半导体

43、设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为67%，即一条晶圆产线的全部资本投资中，2/3的资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、材料等费用。我们以一条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于设备支出，主要的设备包括以下几种：i.光刻机：最高端的ASML光刻机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可；ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美元左右。iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-300万美元。iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万美元，其中前道工序需要50台，而后道工序则

44、需要上百台。约70%的市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和10%。由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，对于设备稳定性和精度的要求极高，这部分设备价值体量也最高，其中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总投资的20%、15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿-1210亿元不等，我们预计2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切入该领域。后道的封装测试环节技术

45、难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树，2017年测试设备市场规模有望达到59亿元。持续的产能转移不仅带动了国内集成电路整体产业规模和技术水平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。 第五章 项目投资建设方案一、产品规划项目主要产品为中高频熔炼设备，根据市场情况，预计年产值21166.00万元。项目承办单位计划在项目建设地建设项目，具有得天独厚的地理条件，与xx省同行业其他企业相比，拥有“立地条件好、经营成本低、投资效益高、比较竞争力强”的优势，因此，发展相关产业前景广阔。相关行业是一个产业关联度高、涉及范围广、对相关产业带动力较大的产业

46、，根据国内统计数据显示，相关行业的发展影响到原材料、能源、商业、金融、交通运输和人力资源配置等行业，对国民经济发展起到很大的推动作用。二、建设规模（一）用地规模该项目总征地面积29914.95平方米（折合约44.85亩），其中：净用地面积29914.95平方米（红线范围折合约44.85亩）。项目规划总建筑面积30214.10平方米，其中：规划建设主体工程21114.28平方米，计容建筑面积30214.10平方米；预计建筑工程投资2219.00万元。（二）设备购置项目计划购置设备共计135台（套），设备购置费3045.31万元。（三）产能规模项目计划总投资11697.47万元；预计年实现营业收入

47、21166.00万元。 第六章 选址分析一、项目选址该项目选址位于xxx产业示范基地。园区不断保持适应新常态的战略定力，以战略提升为导向谋划实现高水平的科学发展。随着国家全面深化改革，统一开放、竞争有序的市场体系正逐渐形成。部分优惠政策弱化或终结，环境承载能力已经达到或接近上限，生产要素成本持续增加，投资和出口增速明显放缓，主要依靠资源要素投入、规模扩张的粗放发展模式已经难以为继。国家高新区必须要保持发展定力，理性看待资源环境约束带来的发展压力，更加注重用好智力和科技成果以及形成的无形资产的产出，坚定不移推动创业发展，把培育中小企业、提高经济质量、增强内生增长动力放到与经济发展同样重要的位置上

48、，持续深入探索产业组织创新，持续优化管理体制，坚定不移推进集约集聚发展，真正实现创新驱动、战略提升。深入贯彻落实党中央、国务院和省委、省政府的决策部署，牢固树立和自觉践行创新、协调、绿色、开放、共享五大发展理念，坚持问题导向、底线思维，推进供给侧结构性改革，厚植优势、补齐短板，着力破除制约民间投资发展的体制机制障碍，提升行政服务效能，改善投资环境，强化要素保障，不断提升民营经济对需求变化的适应性和灵活性，推动经济发展向高中速、高中端转型，为高水平全面建成小康社会奠定坚实基础。对周围环境不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现行标准的允许范围，不会引起当地居民的不满，不会造成不良的社会

49、影响。项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。企业管理经验丰富。项目承办单位是以相关行业为主营业务的民营企业，拥有一大批高素质的生产技术、科研开发、工程管理和企业管理人才，其项目产品制造技术和销售市场已较为成熟，在生产制造的精细化管理方面、质量控制方面均具有丰富的经验，具有管理优势；在项目产品的生产和工程建设方面积累了丰富的经验，为投资项目的顺利实施提供了管理上的有力保障。二、用地控制指标根据测算，投资项目建筑系数符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）

50、中规定的产品制造行业建筑系数30.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“建筑系数40.00%”的具体要求。该项目均按照项目建设地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计，同时，严格按照项目建设地建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。投资项目占地税收产出率符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业占地税收产出率150.00万元/公顷的规定；同时，满足项目建设地确定的“占地税收产出率150.00万元/公顷”的具体要求。三、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数76.66%，建筑容积率1.01，建设

51、区域绿化覆盖率7.36%，固定资产投资强度194.99万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米29914.9544.85亩2基底面积平方米22932.803建筑面积平方米30214.102219.00万元4容积率1.015建筑系数76.66%6主体工程平方米21114.287绿化面积平方米2222.368绿化率7.36%9投资强度万元/亩194.99四、节约用地措施在项目建设过程中，项目承办单位根据项目建设地的总体规划以及项目建设地对投资项目地块的控制性指标，本着“经济适宜、综合利用”的原则进行科学规划、合理布局，最大限度地提高土地综合利用率。投资项目依托项目建设地已有

52、生活设施、公共设施、交通运输设施，建设区域少建非生产性设施，因此，有利于节约土地资源和节省建设投资。五、总图布置方案1、达到工艺流程（经营程序）顺畅、原材料与各种物料的输送线路最短、货物人流分道、生产调度方便的标准要求。根据项目承办单位发展趋势，综合考虑工艺、土建、公用等各种技术因素，做到总图合理布置，达到“规划投资省、建设工期短、生产成本低、土地综合利用率高”的效果。项目承办单位项目建设场区主干道宽度6.00米，次干道宽度3.00米，人行道宽度采用1.20米。道路路缘石转弯半径，一般需通行消防车的为12.00米，通行其它车辆的为9.00米、6.00米。道路均采用砼路面，道路类型为城市型。道路

53、设计注重道路之间的贯通，同时，场区道路应尽可能与主要建筑物平行布置。2、投资项目绿化的重点是场区周边、办公区及主要道路两侧的空地，美化的重点是办公区，场区周边以高大乔木为主，办公区以绿色草坪、花坛为主，道路两侧以观赏树木、绿篱、草坪为主，适当结合花坛和垂直绿化，起到环境保护与美观的作用，创造一个“环境优美、统一协调”的建筑空间。投资项目用水由项目建设地给水管网统一供给，规划在场区内建设完善的给水管网，接入场区外部现有给水管网，即可保证项目的正常用水。消防水源采用低压制，同一时间内按火灾一次考虑，室内外均设环状消防管网，室外消火栓间距不大于100.00米，消火栓距道路边不大于2.00米。3、项目

54、承办单位内设配电室，电源进户采用电缆直接埋地敷设引入配电室；场内供电电压等级380V/220V、TN-C-S系统供电，选择节能型SF11型变压器；场内配电室操作环境，按国标爆炸及火灾危险环境电力装置设计规范（GB50058）的要求设计。供电回路及电压等级确定：配电系统采用TN-C-S制，供电电压为380V/220V，电压波动不超过额定电压的10.00%，电源频率为50.000.50Hz。4、场内运输主要为原材料的卸车进库；生产过程中原材料、半成品和成品的转运，以及成品的装车外运；场内运输由装载机、叉车及胶轮车承担，其费用记入主车间设备配套费中，投资项目资源配置可满足场内运输的需求。话音通信部分

55、：根据场区通信业务需求及场区周围情况，行政调度电话均为安装市话，其中综合值班室安装调度电话和行政电话。数据通信：数据传输通道主要采用中国电信ADSL构建VPN虚拟专用通信网，可同时解决场区数据、IP数据及计算机上网需求；也可采用GPRS数据传输通信，投资项目数据利用中国电信ADSL构建VPN虚拟专用通信网，上传至项目承办单位调度中心。六、选址综合评价项目建设地拥有多支具备相应资质的勘测队伍、设计队伍和专业化建设工程队伍，拥有一大批高素质的产业工人，确保投资项目的实施能力，同时，项目建设地商贸流通行业发达，与国内260多个大中城市开设了货运直达业务。该项目均按照项目建设地部门审批的建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计，同时，严格按照项目建设地建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。 第七章 土建方案一、建筑工程设计原则项目承办单位本着“适用、安全、经济、美观”的原则并遵照国家建筑设计规范进行项目建筑工程设计；在满足投资项目生产工艺设备要求的前提下，力求布局合理、造型美观、色彩协调、施工方便，努力建设既有时代感又有地方特色的工业建筑群的新形象。建筑立面处理在满足工艺生产和功能的前提下，符合现代主体工程的特点，立面处理力求简洁大方，色彩组合以淡雅为基调，适当运用局部色彩点缀，在满足项目建设地规划要求的前提下，着重体现项目承办单