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文档简介
1、版图实验报告姓名:xxxxx 学号:xxxxxxx 专业:xxx题目:针对IO的缓冲器版图设计参考课程教学中互连部分的有关讲解,根据下图所示,假设输出负载为5PF,单位宽长比的PMOS等效电阻为31K,单位宽长比的NMOS等效电阻为13K;假设栅极和漏极单位面积(um2)电容值为1fF,假设输入信号IN、EN为理想阶跃信号。与非门、或非门可直接调用LEDIT标准单元库,在此基础上,设计完成输出缓冲部分,要求从输入IN到OUT的传播延迟时间尽量短,可满足30MHz时钟频率对信号传输速度的要求(T=2TP)。要求:实验报告要涵盖分析计算过程,常用于IO的三态缓冲器题目分析:由于与非门、或非门可直接
2、调用LEDIT标准单元库,所以本设计的关键在于后级反相器的设计上(通过调整反相器版图的宽长比等),以满足题目对电路延时的要求。设计思路分析可知:由于输入信号IN和是理想的阶跃信号,所以输入的延时影响不用考虑。所以计算的重点在与非门和或非门的延时,以及输出级的延时。对于与非门,或非门的延时,由于调用的是标准单元,所以它的延时通过提取标准单元的尺寸进行估算,输出级的尺寸则根据延时的要求进行设计。计算过程:(1)全局延时要求:30MHz的信号的周期为,T=33ns;全局延时Tp的取值要求,Tp13.7um,同理,我们得到nmos的最小栅宽为5.7um。结论:我们通过计算得到了输出端nmos和pmos的最小尺寸,分别为5.7um和13.7um。其对应的栅电容很小,因此我们在前面假设的或非门的后级负载电容量是留有很大余量的;相比较标准单元,输出端的尺寸是比较小的,因此为保证较好的特性,我在实际的设计中取pmos的尺寸为最小尺寸的2倍,nmos和pmos采用相同的尺寸。结合布局,我最后选定的的nmos和pmos的栅宽为14um。版图设计:选定了pmos和nmos的栅宽14um,综
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