软件无线电---ads设计混频器设计报告3

软件无线电ADS设计混频器设计报告目录一、实验要求2二、实验原理21、混频器的基本原理22、混频器的技术指标3三、实验步骤431创建一个新项目4323DB定向耦合器设计433低通滤波器934混频器频谱分析1035噪音系数仿真2236噪声系数随RF频率的变化2437三阶交调系数3038功率三阶交调系数36四、试验总结38一、实验要求在无线通信系统中，混频器是一种常见的射频电路组件，主要用来将不同频率的信号相乘，以实现频率的变换。本设计通过ADS仿真掌握射频电路的工程设计方法和技巧，熟悉射频电路的调试过程，建立设计、开发射频电路和产品的系统概念，提高专业素质和工程实践能力。二、实验原理1、混频器的基本原理混频器通常被用来将不同频率的信号相乘，以实现频率的变换。它最基本的作用有两个上变频和下变频。其中上变频的作用是将中频信号与本振信号混频成为发射的射频信号，通过天线发射出去；下变频器的作用是将天线接收到的射频信号与本地载波信号混频，经过滤波后得到中频信号，并送到中频处理模块进行处理。图1就是一个平衡混频器的电离臂，1到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90。图1镜像抑制混频器的原理假设射频信号和本振信号分别从隔离臂1、2端口加入时，初相位都是0。，考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。通过定向耦合器，加到VD1，VD2上的信号和本振电压分别为由式1到式4表示（1）2/COS1TVVSS（2）2/COS1TVVLLL（3）2SS（4）/TLL可见，射频信号和本振信号都分别以/2相位差分配到两只二极管上，故这类混频器称为/2型平衡混频器。由一般混频电流的计算公式，并考虑到射频电压和本振电压的相位差，可以得到D1中混频电流为（5）2/EXP,1TJNTJMITILSMNN同样D2中的混频电流为（6）/E,2TJTJITILSMNN当M1，N1时，利用式（7）的关系，可以求出中频电流如式（8）所示。（7）1,1,II（8）2/COS|4,TILSIF这样就可以看出，输出的中频信号的频率是输入的射频信号的频率与本振信号的频率之差，从而达到了混频的目的。2、混频器的技术指标混频器主要的技术指标如下（1）、噪声系数和等效相位噪声它描述了混频器的噪声特性，有两种表现形式，分别为单边带噪音系数和双边带噪音系数。（2）、变频增益虽然混频器的输入信号和输出信号的频率不同，但仍然可以利用输出信号功率与输入信号功率之比来表示混频器的增益。（3）、动态范围混频器的动态范围是指它正常工作时的输入信号的功率范围，超过这个范围将对信号的增益和频率成分产生影响。（4）、双频三阶交调与线性度。（5）、工作频率混频器的工作频率是指输入或输出射频信号的频率。（6）、隔离度隔离度一般是指混频器射频信号输入端口与本振信号输入端口之间的隔离特性。（7）、本振功率本振功率是指完成混频功能需要输入本振信号的功率。三、实验步骤31创建一个新项目启动ADS选择MAINWINDOWS菜单FILENEWPROJECT，然后按照提示选择项目保存的路径和输入文件名点击“OK”这样就创建了一个新项目。点击，新建一个电路原理图窗口，开始设计混频器。323DB定向耦合器设计里面选择类“TLINESMICROSTRIP”选择，并双击编辑其中的属性，这是微带线基板的参数设置，其中的各项的物理含义，可以参考ADS的帮助文档。选择，这是一个微带传输线，选择，这是一个三叉口。按照下图设计好电路图图23DB耦合器其中50OHM传输线的线宽W098MM，四分之一波长长度为1046MM，35OHM传输线的线宽为W167MM，四分之一波长长度为102MM。MTEE是三端口器件，有三个参数W1，W2，W3具体是有定义的，可以此参考ADS帮助文档。选择类“SIMULATIONS_PARAM”并把仿真器和“TERM”拉出来放好。图3双击，修改里面的属性，要求从3GHZ到5GHZ扫描。保存文档。按“F7”仿真。在“DATADISPLAY”窗口中，按，如下图所示，看端口的耦合度。图4结果如下图所示图5输出端口间的相位差同样的办法可以看到输出端口的相位差、输入端口的隔离度、输入端口的回波损耗等。图6输出端口的相位差图7输入端口的回波损耗图8输入、输出端口的隔离度33低通滤波器在类“LUMPEDCOMPONENTS”里面选择电容，和电感，按照下图设计电路。图9低通滤波器电路图加上仿真器，设计为，表示从001GHZ，扫描到4GHZ。按“F7”仿真。在出现的“DATADISPLAY”窗口中，按，选择加入S21，仿真结果如下图所示。图10低通滤波器仿真结果34混频器频谱分析341设计完整的电路图图11完整的电路图把混频器的电路图分解为如下图所示的8个部分，下面分别说明一下这8个部分具体的情况。图12第一部分第二部分第三部分就是上面设计出来的3DB定向耦合器，具体请参考3DB耦合器一章。第4部分匹配电路第5部分是晶体管，其中晶体管是使用了模型，具体操作是这样的，先在类“DEVICESDIODES”里面，选择，并双击修改里面的属性，建立二极管模型，具体的参数设计参考下图13。图13选择，并在相应的位置把器件放好，其中DIODE1，和DIODE2都是引用了刚才设计的二极管模板“DIODEM1”。第6部分是输出阻抗匹配电路，使用传输线做阻抗匹配，第6部分第7部分是低通滤波器，具体电路参考低通滤波器设计电路。第8部分是一个“TERM”，用来做输出负载的。“TERM”是在“SIMULATIONSPARAM”中获得的。第8部分注意第1部分是射频输入端口，端口号就是NUM要设计为“1”；第2部分是本振输入端口，端口号要设计为“3”。这是一般用HBSIMULATION仿真的规范要求。342设置变量在电路原理图窗口上，选择，双击，修改其属性，如下图所示。在类“OPTIM/STAT/YIELD/DOE”里面，选择，并双击修改其属性为343配置仿真器在类“SIMULATIONHB”里面选择和，先双击修改其属性，主要是把温度改为符合IEEE标准的1685度。双击，配置谐波平衡仿真器，具体参见下图图14图15图16图17图19选择KRYLOV来做噪音仿真按“F7”进行仿真。在出现的“DATADISPLAY”窗口中，选择，并点击“ADVANCE”项目，在对话框里面输入“DBMVIF”点击“OK”就可以显示中频输出的频谱分量。图20仿真结果如下图所示选择，选择显示“CONVGAIN”结果如下图所示图21图2235噪音系数仿真在上面仿真的基础上，稍微把仿真器修改一下就可以得到噪音系数的仿真结果，双击，修改第二项“SWEEP”图23表示不在对本振功率“PLO”进行扫描，其他项目不需要做任何改动。按“F7”进行仿真。在新出现的“DATADISPLAY”窗口中，选择，并把NF2添加进去。NOISEFREQ2000MHZNF21403536噪声系数随RF频率的变化在上面噪音仿真的基础上，做如下改动修改变量如下图所示把射频输入端的功率源换成一个“TERM”。在类“SIMULATIONHB”选择一个，双击修改其属性为图24表示从1。0GHZ扫描到60GHZ，步长是01GHZ。配置仿真器，如下图所示。图25图27图28图29按“F7”进行仿真。在新出现的“DATADISPLAY”窗口中，点击，并在“ADVANCE”对话框中输入“PLOT_VSNF2,HB_NOISERFFREQ最后的仿真结果如下图所示。图3037三阶交调系数电路原理图不变，然后做下面的修改设置变量如下图所示设计输出变量，在类“OPTIM/STAT/YIELD/DOE”里面点击，然后双击编辑属性在类“SOURCESFREQDOMAIN”里面，选择，并把该器件放在1端口，就是射频输入端口，双击修改其属性。仿真器配置图31图32图33图34按“F7”进行仿真在新出现的“DATADISPLAY”窗口中，选择，双击，在“ADVANCE”里面加入“DBMVIF”，并修改坐标最后的仿真结果如下图所示图3538功率三阶交调系数在上面的基础上，修改下面的参数变量把仿真器中的一项改掉，其他不变，就是加入了一个扫描变量最后仿真的结果是图36四、试验总结这是一个微带平衡混频器，主要是有几部分组成3DB定向耦合器、二极管的输入、输出阻抗匹配电路、两个二极管、输出低通滤波器。在这篇文章中，我们先介绍了3DB定向耦合器的仿真，其中原理部分可以参考其他资料，在知道了原理后，可以利用一些小软件计算线宽，该软件陈抗生老师哪里有的。后面是介绍一个低通滤波器的设计和仿真，这是比较简单的，用于输出中频滤波。后面是分别设计和仿真了这个MIXER的频谱、噪音、增益本振功率曲线、射频频率噪音系数曲线等等。整个过程中，电路的原理图都是不变的，改变的只是端口的配置、仿真器的配置还有变量的配置。其中有几个规律。对于用来仿真MIXER的HBSIMULATION要求1端口是射频输入端口、2端口是中频输入端口、3