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第四章 输运现象（1）利用迁移率的数据, 计算Si的室温本征电阻率。mn=1350 cm2/Vsmp=500 cm2/Vs（2）若在Si中掺千分之一质量比的As，求室温电阻率。（Si的密度为2.33 g/cm） As的浓度：Si中As：eD=0.054eV：查表得该浓度下迁移率为150 cm2/Vs.（3）设室温下n型GaAs中电子迁移率为8000 cm/Vsec，估算动量弛豫时间的平均值。（4）导出霍尔位形（霍尔实验中电场和磁场的取向方式）下，n型半导体中电子的动量平衡方程。由此得到迁移率和霍尔系数的表示式。具体考虑n型半导体中的电子以速度-vx运动的电子在y方向所受的洛伦兹力为-vxeBz磁场使n个电子在y方向单位时间内得到的动量总和为:同理，以速度-vy运动的电子在x方向单位时间内得到的动量总和为:稳定条件下的动量平衡方程：x方向：y方向：霍尔效应下，vdy=0; 考虑到jx=-nevdx可得到（5）1）选取适当的式子，说明为甚么霍尔系数的绝对值与载流子浓度成反比。这种关系有些甚么重要实际应用？ 2）设半导体样品厚度为0.5 mm，载流子浓度为/cm，在5000G的磁场中通以1mA 的电流。求霍尔电压。由上题可见霍尔系数的绝对值和载流子浓度成反比。这是因为霍尔电场的大小和引起洛仑兹力的vdx成正比。对于同样的电流 jx，n(或p)越小，vdx越大霍尔系数也越大。通过霍尔效应测量，可由霍耳系数的符号判断载流子的类型、由霍耳系数大小确定载流子浓度 （6）1）电子的平均动能为，若有效质量为0.2。求室温下电子热运动的均方根速度。 2）求迁移率为1000 cm/Vsec的载流子在10V/cm的电场下的漂移速度。 3）比较两者的大小。（7）说明电离杂质散射和声学波散射的基本特点，两者、的温度关系，起主要作用的温度范围，在、曲线（类似图3.9中的曲线）中的表现。 电离杂质散射 晶格散射 AB段:温度很低, 弱电离区, 载流子主要由杂质电离提供, 它随温度升高而增加; 散射主要由电离杂质决定, 迁移率也随温度升高而增大, 所以电导率随温度升高而上升。BC段：温度继续升高（包括室温），杂质已全部电离，强电离区， 本征激发还不十分显著，载流子基本上不随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率也随温度升高而降低，所以电导率随温度升高而下降。C段：温度继续升高，本征激发上升为主要矛盾，大量本征载
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