开题报告-氮化硼光电功能材料的基础研究.doc

沈 阳 大 学本科毕业设计（论文）开题报告设计（论文）题目： 氮化硼光电功能材料的基础研究 学 院： 院 专 业、 班 级： 物理学（师范）2012级 学 生 姓 名： 指导教师 （职称）： 2016年3月16日填毕业设计（论文）开题报告要求开题报告既是规范本科生毕业论文工作的重要环节，又是完成高质量毕业设计（论文）的有效保证。为了使这项工作规范化和制度化，特制定本要求。一、选题依据1. 设计（论文）题目及研究领域；2. 设计（论文）工作的理论意义和应用价值；3.目前研究的概况和发展趋势。二、设计（论文）研究的内容1.重点解决的问题；2.拟开展研究的几个主要方面（设计思路或论文写作大纲）；3.本设计（论文）预期取得的成果。三、设计（论文）工作安排1.拟采用的主要研究方法（技术路线或参数）；2. 设计（论文）进度计划。四、文献查阅学生至少阅读10篇以上的文献资料，其中近期的与毕业设计（论文）相关的期刊、论文最少5篇，并在此基础上通过分析、研究、综合，形成开题报告。必要时应在调研、实验或实习的基础上递交相关报告。报告作为开题报告的一部分附在后面，要求思路清晰，文理通顺，较全面地反映出本课题的研究背景或前期工作基础。五、其他要求1.开题报告应在设计（论文）工作开始后的前四周内完成；2.开题报告必须经学院教学指导委员会审查通过；3.开题报告不合格或没有开题报告的学生，须重做或补做合格后，方能继续设计（论文）工作，否则不允许参加答辩；4.开题报告通过后，不得随意允许更换论文题目或指导教师；5.开题报告内容，要求打印并装订成册（部分专业可根据需要手写在统一纸张上，但封面需按统一格式打印）。一、选题依据1. 设计（论文）题目：氮化硼光电功能材料的基础研究2. 研究领域：材料物理3. 设计（论文）工作的理论意义和应用价值 六方氮化硼（h-BN），h-BN由同等数量的硼和氮原子在 sp2杂化结合中将强共价键结合在一起具有明显的离子特征的二维晶体材料。h-BN具有大的能带隙6 eV，命名“白石墨烯”，h-BN的准一维纳米带，即氮化硼纳米带（BNNRs），也得到了相当多的实验和理论关注。电导率已通过解压氮化硼纳米管产生BNNRs得到实验测量。除了裸边和氢封端的纳米带，最近的理论工作还探索硫族或卤素元素使用功能。与边缘功能化的纳米带相关的，特别是边缘氧化相关的化学官能团改变的磁性和电子性质的纳米带，从而引入新的功能。4. 目前研究的概况和发展趋势关于层状碳膜研究执行的基本实验已经在2004年挑起了一场材料革命科学。伴随着新型纳米电子器件的出现，这些分层设计材料及衍生物的使用兴趣得到激增。石墨烯基材料的广泛的实验和理论研究一直致力于石墨烯纳米带（GNRs），二维石墨烯准一维纳米带，它是通过切割石墨烯片或纵向解压碳纳米管合成的。石墨烯和GNRs卓有成效的研究激发出了许多其他无机层状结构的研究材料，如碳化硅（ SiC），硒化铌（NbSe 2 ），二硫化钼（ MoS 2 ），以及各种其他过渡金属硫化物，特别是六方氮化硼（h-BN）。通过光学测量出镍基底上的h-BN层合成和衍生大面积薄膜的变量带隙为5.92电子伏特。并且已经合成了独立的h-BN单层，它的边缘已经被原子分辨显示是空缺的，这些空缺对于氮封端的锯齿边缘大大有利。二、设计（论文）研究的内容1.重点解决的问题 主要研究重点集中在纳米带宽度的影响、结构的边缘方向和边缘功能、电子和GNRs的磁特性上，这与它们在纳米电子装置的潜在应用密切相关。2. 拟开展研究的几个主要方面（设计思路或论文写作大纲）1、 引言2、 计算方法3、 结果与讨论4、 总结5、 文献 致谢3. 本设计（论文）预期取得的成果我们将要提出根据DFT的扶手椅BNNR边缘终止O原子和OH基团的研究，得到扶手椅BNNRs的结构和电子性质功能化影响的详细结果。结果中可能会呈现不同于氧曲折BNNR所对应的边的特点，通过电子能带、总态密度 (TDOS)和投影态密度 (PDOS)，给出所有的O和OH边缘终止带边缘特征。三、设计（论文）工作安排1.拟采用的主要研究方法（技术路线或参数）: 第一性原理计算2.设计（论文）进度计划:第一周：2016年3月14日3月18日 撰写开题报告第二周：2016年3月21日3月25日 开题报告论证第三周：2016年4月18日4月22日补充资料第四周：2016年4月25日4月29日补充资料第五周：2016年5月2日5月6日论文一稿第六周：2016年5月9日5月13日论文二稿第七周：2016年5月16日5月20日论文三稿第八周：2016年5月23日5月27日论文终稿第九周：2016年5月30日6月3日 论文装订/归档6月6-8日 论文答辩 4、 需要阅读的参考文献(1）黄振楠,寇生中,金东东.氢氧化镍/还原氧化石墨烯复合物的超级电容性能J.功能材料,2015(5)(2)Jiao L Y， Wang X R， Diankov G， Wang H L， Dai H J.Facile Synthesis of High-quality Graphene NanoribbonsJ. Nat.Nanotechnol. 2010,5:321325(3)Pochet P, Genovese L, Caliste D, Rousseau I, Goedecker S.Deutsch T. First-principles Prediction of Stable SiC Cage Structures and Their Synthesis PathwaysJ. Phys. Rev. B 2010, 82: 035431.(4)Jin C, Lin F, Suenaga K, Iijima S. Fabrication of a Freestanding Boron Nitride Single Layer and Its Defect AssignmentsJ.Phys. Rev. Lett. 2009,102: 195505(5) Wang Y, Ding Y, Ni J. Fluorination-induced Half-metallicity in Zigzag Boron Nitride Nanoribbons: First-principles CalculationsJ. Phys. Rev. B 2010, 81:193407(6) Du A J, Smith S C, Lu G Q. First-principle studies of electronic structure and C-doping effect in boron nitride nanoribbonJ. Chem. Phys. Lett. 2007, 447:181186(7) Wu X, Wu M, Zeng X C. Chemically Decorated Boron Nitride NanoribbonsJ. Frontiers of Physics in China .2009, 4: 367372(8) Wagner P, Ewels C P, Ivanovskaya V V, Briddon P R,Pateau A, Humbert B. Ripple edge engineering of graphene nanoribbonsJ. Phys. Rev. B 2011, 84: 134110(9) Yang X, Liu G, Balandin A A, Mohanram K. Triple-Mode Single-Transistor Graphene Amplifier and Its ApplicationsJ. ACS Nano2010, 4: 55325538(10) Park C -H, Louie S G. Energy Gaps and Stark Effect in Boron Nitride NanoribbonsJ. Nano Lett. 2008, 8: 22002203(11) Nakamura J, Nitta T, Natori A. Electronic and Magnetic Properties of BNC ribbonsJ. Phys. Rev. B 2005, 72:205429审核意见指导教师评阅意见（对选题情况、研究内容、工作安排等方面进行评阅